原理：固定探测波长于特定光致发光峰位，同步扫描激发光源波长，记录发光强度随激发光子能量的变化。发光强度正比于激发波长处样品对光子的吸收效率及后续弛豫至所监测发光能级的量子效率，由此获得反映激发通道选择性的激发光谱。

原理：以光子能量大于半导体带隙的激光激发样品，价带电子跃迁至导带，经热弛豫后通过辐射复合发射光子。收集发射光强随波长的分布，得到光致发光光谱。峰位对应带隙或缺陷能级，峰强与辐射复合效率相关。

原理：半导体吸收泵浦光后经无辐射复合释热，在表面介质中形成折射率梯度场。平行掠射的探测激光穿透该热场时发生偏转，通过精密测量此偏转角，即可精确提取宽禁带材料极微弱的亚带隙本征光吸收系数与缺陷态分布。

原理：在固定高频交流微扰下，对肖特基结或MOS结构施加直流偏压并测量其微分电容。利用1/C2与电压（V）的线性外推关系，通过直线斜率与截距逆向解析半导体内部的能带特征。

原理：在特定电学偏置下，将宽禁带半导体器件端点输出的微小电流或电压涨落信号转换至频域，提取其噪声功率谱密度的无损表征技术。其原理是基于载流子被缺陷捕获/释放或晶格散射的随机性。

原理：利用高能聚焦电子束穿透器件表面的绝缘钝化层，在深埋的金属互连线或半导体体内注入大量电荷。这些电荷沿最低阻抗网络传导至外部微纳探针，形成吸收电流。将该纳安级微弱电流的强度变化与电子束的二维扫描坐标同步映射，即可实现次表面导电网络的精准可视化。

原理：利用能量连续可调的低能电子束（通常为 5~20 eV）轰击半导体表面，电子跃迁并弛豫至未占据的空轨道（导带）时，会辐射出特征光子。通过高灵敏度光学探测器收集这些光子，测定其能量分布，从而直接描绘材料费米能级以上的未占据态能带结构。

原理：在低于材料本征击穿强度的恒定电压CVS或恒定电流CCS应力下，长时间持续施加电荷注入。随着绝缘薄膜内部缺陷不断产生与积累，当缺陷密度达到临界阈值时，最终形成贯穿的导电通路，导致介质发生突发性物理击穿。

原理：利用高能深紫外激光（如193nm或213nm）激发半导体，记录电子跃迁复合后释放的光谱。直接反映超宽带隙材料的能带结构与辐射复合动力学。

原理：其基于晶格声子频率对温度的高度敏感性。随着温度升高，半导体晶格热膨胀与声子-声子散射加剧，导致特定拉曼特征峰发生规律性的红移并展宽。通过共聚焦显微光路在器件表面进行高精度扫描，利用峰位偏移量可反演构建出亚微米级空间分辨率的二维温度场分布图。

原理：在宽温区（如10K至800K）内，通过在半导体样品上施加恒定磁场与电流，测量横向霍尔电压随温度变化的规律。基于洛伦兹力偏转运动电荷。通过解析不同温度下的霍尔系数与电导率，揭示宽禁带半导体内杂质电离过程、载流子输运机制与散射物理规律。