具体测试对象：
半导体发光二极管（LED）外延片及芯片、激光二极管（LD）结构
有机发光二极管（OLED）半导体层、量子阱及超晶格电致发光结构
二维半导体发光器件、微型LED阵列、硅基光电子发光单元、功率器件反向击穿发光点等
1 项目介绍
原理：在半导体器件正偏压下注入少数载流子，载流子在结区或量子阱中辐射复合产生光子。收集发射光强随波长或能量的分布，获得电致发光光谱。发光峰位对应材料带隙或量子能级，强度反映注入载流子的辐射复合效率。
作用：非破坏性评估半导体发光器件的光谱纯度、峰值波长及半高宽。可分析量子阱的阱宽波动与组分均匀性；通过光谱随注入电流的演变判断能带填充效应、发热效应及缺陷相关发光；定位LED芯片失效区域的漏电发光缺陷，为器件工艺诊断和分选提供依据。
2 样品要求
样品需具备可电注入的PN结或异质结构，电极引出良好，结区无短路。测试电流须控制在器件额定工作范围内，避免过大注入导致结温过高或烧毁。背面衬底若透光，需考虑衬底吸收对短波长发光的衰减。器件表面须清洁，发光面朝向收集光路，点测时光斑应覆盖发光区域。
3 常见问题
3.1干涉效应引起的周期性调制。
透明衬底或外延层形成的微腔结构使发射光谱叠加Fabry-Perot干涉条纹，对窄线宽量子阱发光尤为显著。这些调制峰容易被误认为子能级或声子伴线。可采取背面粗糙化、斜边解理面收集或积分球收集等方式破坏相干干涉，或在数据处理中去卷积扣除。
3.2背景光与杂散电注入干扰。
探针台照明光、环境光或电流注入引线上的寄生电致发光叠加在样品信号上，尤其在对暗区或微弱发光点成像时干扰严重。须在完全遮光条件下测量，使用屏蔽线缆并对照无样品情况下的本底光谱予以扣除。同时电流源纹波或静电放电可能产生虚假光脉冲，需滤波和接地防护。
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