具体测试对象：
碳化硅（SiC）高压 MOSFET
超宽禁带氧化镓沟道器件（Ga2O3）
宽禁带深紫外雪崩探测器
1 项目介绍
原理：在特定电学偏置下，将宽禁带半导体器件端点输出的微小电流或电压涨落信号转换至频域，提取其噪声功率谱密度的无损表征技术。其原理是基于载流子被缺陷捕获/释放或晶格散射的随机性。
作用：测量频域内的噪声功率谱密度、1/f 闪烁噪声系数、产生-复合（g-r）噪声的洛伦兹拐点频率与特征时间常数。能够精准量化绝缘栅/宽禁带半导体界面（如 SiO2/SiC）的界面态陷阱密度；诊断引发动态导通电阻退化的体相深能级缺陷；非破坏性评估高频射频器件的相位噪声来源与栅氧长期可靠性。
2 样品要求
宽禁带器件常在极高电流密度或高压偏置下运行，而本征噪声极其依赖于器件的精准静态工作点。样品基板必须具备优异的导热能力并贴附于控温冷台。若偏置期间发生严重的焦耳热累积（自热效应），激增的晶格热涨落将激发出虚假的宽带热噪声，且温度漂移会破坏噪声与偏置电压之间的严格数学标度律。
3 常见问题
3.1 噪声导致频域混叠。
在极低频测量区间（0.1~10 Hz），探针台减震平台的气流微扰或同轴测试线缆的轻微机械晃动，都会通过摩擦起电或寄生电容位移电流转化为宏观的电荷涨落信号。这种纯机械起源的摩擦低频噪声会直接与半导体晶格内部真实的 1/f 缺陷噪声发生频域混叠，导致研究者严重高估材料内部的慢速深能级陷阱密度。
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