具体测试对象：
4H-SiC肖特基势垒二极管（SBD）
GaN基高电子迁移率晶体管
金刚石基高压功率器件的金属-半导体接触界面等
1 项目介绍
原理：在固定高频交流微扰下，对肖特基结或MOS结构施加直流偏压并测量其微分电容。利用1/C2与电压（V）的线性外推关系，通过直线斜率与截距逆向解析半导体内部的能带特征。
作用：测量电容倒数平方-电压曲线，平带电压Vfb以及内建电势Vbi。能够定量提取外延层中净掺杂浓度（Nd−Na）的深度空间分布；精准标定金属/半导体接触的肖特基势垒高度（ΦB）；评估功率器件在强电场下的空间电荷区电位阻抗分布。
2 样品要求
宽禁带半导体本征电导率较低，若衬底未充分掺杂或背面电极未形成良好的欧姆接触，将引入巨大的寄生串联电阻。在高频阻抗等效电路中，过大的串联电阻会导致阻抗相位角剧烈偏离负90度，使得阻抗分析仪无法准确解耦并提取出真实的空间电荷层电容。
3 常见问题
3.1 边缘电场集中效应。
由于宽禁带半导体击穿电场极高，测试常伴随较深的反向偏压。若电极边缘未制备终端保护结构（如场板），电场将在边缘局部富集并发生微弱隧穿。这导致在高偏压区域，1/C2−V曲线脱离理想的直线轨迹而呈现非线性弯曲，破坏了切线拟合的唯一性基准。
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