具体测试对象：
半导体体单晶（Si、GaAs、InP等）、外延薄膜及异质结构
量子阱及超晶格、半导体纳米线及量子点
二维半导体材料（MoS₂、WS₂等）、辐照改性或离子注入半导体等
1 项目介绍
原理：以光子能量大于半导体带隙的激光激发样品，价带电子跃迁至导带，经热弛豫后通过辐射复合发射光子。收集发射光强随波长的分布，得到光致发光光谱。峰位对应带隙或缺陷能级，峰强与辐射复合效率相关。
作用：测定半导体带隙能量及缺陷能级位置，通过特征峰识别杂质种类；由发光强度与线宽评价晶体质量与位错密度；结合变温测试提取激子结合能及声子耦合参数；为外延生长工艺优化、组分校准及发光器件结构设计提供光学依据。
2 样品要求
样品表面须平坦洁净，无明显划痕或氧化层，以降低表面复合速率。衬底在激发与发射波段应无荧光干扰。样品厚度若小于穿透深度，须考虑衬底信号叠加。环境光屏蔽，避免激发光杂散光进入收集光路。若为量子结构，激发功率密度须控制以避免能带填充效应导致峰位蓝移。
3 常见问题
3.1激发光散射干扰。
粗糙表面、纳米结构侧壁或样品台边缘产生的弹性散射光强度可数倍于光致发光信号，在激发波长附近形成尖锐杂散峰，严重时使弱信号探测器饱和。该杂散峰不随温度或激发功率变化，可与发光峰区分。须配置高消光比长通滤光片或陷波滤光片，并优化收集光路的共聚焦孔径以空间滤波排除散射光。
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