具体测试对象：
高纯碳化硅（SiC）晶圆
氮化镓（GaN）及氮化铝（AlN）外延层
超宽禁带氧化镓单晶，金刚石厚膜等
1 项目介绍
原理：半导体吸收泵浦光后经无辐射复合释热，在表面介质中形成折射率梯度场。平行掠射的探测激光穿透该热场时发生偏转，通过精密测量此偏转角，即可精确提取宽禁带材料极微弱的亚带隙本征光吸收系数与缺陷态分布。
作用：测量极低光吸收系数光谱，深能级缺陷的能量分布。突破了传统 UV-Vis 漫反射光谱无法准确定量极低吸收的极限；精准量化宽禁带晶格的结构无序度（提取 EU）；直接指认引发高压器件漏电流的特定亚带隙本征点缺陷或碳、氧等杂质能级吸收带。
2 样品要求
PDS 探测激光极其贴近样品表面（通常掠射高度 < 50 μm）。宽禁带半导体样品必须经过严格的化学机械抛光，表面粗糙度需控制在亚纳米级别。若表面存在微观起伏或划痕，探测光束将遭到物理遮挡或发生强烈的掠射散射，导致四象限探测器无法锁定微弱的本征偏转微扰信号。
3 常见问题
3.1 局部的热过载。
PDS 采用全氟己烷等高热光系数（dn/dT）液体作为偏转介质。若单色光功率过高或在特定缺陷富集区发生强烈局域吸收，样品表面的极端温升可能引发液体的微观沸腾。生成的热气泡会导致探测光发生剧烈的瑞利散射与高频抖动等，在锁相放大器上表现为信号过载与巨大的非随机基线噪声。
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