具体测试对象：
直接转换型半导体辐射探测器、闪烁体耦合型辐射探测器
金刚石辐射探测器、X射线光子计数探测器
中子转换层耦合半导体探测器、气体探测器电极结构等
1 项目介绍
原理：将聚焦至微米或亚微米尺度的光斑在辐射探测材料或探测器表面进行二维栅格扫描，同步采集每一扫描位置的光电流或电荷收集信号，将信号幅值映射为空间灰度或伪彩色图像，形成光电流分布图。光电流幅值反映局域电荷收集效率与载流子输运特性。
作用：表征辐射探测材料与器件中电荷收集效率的空间分布，识别缺陷富集区、电场畸变区及电极边界效应。可定位晶体缺陷或杂质沉淀引起的低响应区域；分析辐照损伤的空间分布与演化；评估探测器载流子迁移率-寿命乘积的均匀性；为探测器材料筛选、电极设计优化及失效分析提供空间分辨的实验依据。
2 样品要求
样品须固定于可沿X-Y方向精密位移的压电或步进电机载物台上，载物台重复定位精度须优于聚焦光斑直径的十分之一。探测器表面须平坦，表面高度起伏在聚焦景深范围内，以避免扫描过程中离焦引起的光电流幅度伪变化。器件电极须可靠引出，接触电极与测试探头连接后，整个扫描行程内接触电阻无变化。若需施加偏压，偏置电源纹波须低于最小光电流信号。光脉冲脉宽须短于探测器响应时间，以避免扫描拖尾效应。
3 常见问题
3.1样品倾斜与离焦。
整个扫描视场内若样品平面与物镜焦平面存在倾角，边缘区域因离焦导致光斑面积增大、功率密度下降，光电流幅值呈单调衰减趋势，该衰减易被误判为边缘响应下降。须进行自动对焦或采用共聚焦光学系统以限定焦深，扫描前以全场高度映射进行水平补偿校正。
3.2表面复合与体激发深度差异。
短波长光在辐射探测材料近表面激发载流子，表面复合对光电流的猝灭效应显著，表面缺陷或吸附物引起的信号衰减掩盖体材料本征电荷收集特征。须选用穿透深度较大的长波长激发光以探测体区响应，或对比不同激发波长下的成像结果以分离表面与体效应贡献。
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