原理：以线偏振或非偏振光激发样品产生光致发光，通过四分之一波片与线偏振分析器交替采集发射光的左旋与右旋圆偏振分量强度，计算圆偏振度随发射波长的变化。圆偏振度反映激发态载流子自旋极化率或手性诱导的自旋选择发光效率。

原理：以交替的左旋和右旋圆偏振光照射样品，测量样品对两种圆偏振光吸收的差异，即圆二色性信号随波长的变化。该信号来源于材料的手性结构或磁有序诱导的电子态对称性破缺，反映基态到激发态跃迁的选择定则对光子自旋的依赖。

原理：以圆偏振光激发样品，根据光学选择定则在半导体中产生自旋极化载流子，载流子辐射复合发射光子，其圆偏振度与载流子自旋极化率成正比。通过分析发射光的左旋与右旋圆偏振分量强度，获得发射光谱各波长处的圆偏振度。

原理：通过铁磁电极或自旋注入层向半导体有源区注入自旋极化载流子，载流子在量子阱或发光层中辐射复合，发射光的圆偏振度与注入载流子的自旋极化率成正比。测量电致发光光谱及其圆偏振度随注入电流、偏压及磁场的变化关系。

原理：以圆偏振光激发样品，利用光学选择定则在半导体中产生自旋极化载流子，自旋极化电子与空穴在不同电极间输运，在外加偏压或内建电场作用下形成圆偏振相关光电流。测量光电流随激发波长或圆偏振态的变化关系。

原理：以远低于自旋激发阈值的线偏振探测光照射样品，通过平衡光电探测实时监测自旋极化涨落导致的探测光偏振法拉第旋转噪声。对噪声功率谱进行傅里叶变换，获得自旋噪声谱，中心频率和线宽直接反映自旋进动频率与弛豫速率。

原理：以圆偏振超短泵浦光脉冲激发样品，利用角动量守恒产生自旋极化载流子，随后以时间延迟的线偏振探测脉冲测量样品反射率或透射率的变化。探测光偏振旋转角或椭圆率变化反映自旋极化的弛豫与退相干过程。

原理：以迈克尔逊干涉仪将宽谱红外光源分为两束并引入光程差后重新合束，形成干涉图，经傅里叶变换得到红外吸收或透射光谱。样品特征振动吸收峰对应化学键或晶格声子模式，峰位反映化学键类型及键合环境。

原理：以单色X射线或紫外光照射样品表面，激发光电子逸出，测量光电子动能及出射角度，依据能量与动量守恒，获得固体材料价电子的能量-动量色散关系即能带结构。适用于晶体表面及界面电子态研究。

原理：在辐射探测器半导体结上施加正向偏压注入少数载流子，或利用高电场反向偏压下的碰撞激发与隧穿效应，使载流子通过辐射复合发射光子。收集发射光强随波长的分布，获得电致发光光谱。峰位对应带隙、缺陷能级或高场域发光中心，强度反映载流子注入效率与辐射复合概率。