原理：半导体吸收泵浦光后经无辐射复合释热，在表面介质中形成折射率梯度场。平行掠射的探测激光穿透该热场时发生偏转，通过精密测量此偏转角，即可精确提取宽禁带材料极微弱的亚带隙本征光吸收系数与缺陷态分布。

原理：在固定高频交流微扰下，对肖特基结或MOS结构施加直流偏压并测量其微分电容。利用1/C2与电压（V）的线性外推关系，通过直线斜率与截距逆向解析半导体内部的能带特征。

原理：在特定电学偏置下，将宽禁带半导体器件端点输出的微小电流或电压涨落信号转换至频域，提取其噪声功率谱密度的无损表征技术。其原理是基于载流子被缺陷捕获/释放或晶格散射的随机性。

原理：利用高能聚焦电子束穿透器件表面的绝缘钝化层，在深埋的金属互连线或半导体体内注入大量电荷。这些电荷沿最低阻抗网络传导至外部微纳探针，形成吸收电流。将该纳安级微弱电流的强度变化与电子束的二维扫描坐标同步映射，即可实现次表面导电网络的精准可视化。

原理：利用能量连续可调的低能电子束（通常为 5~20 eV）轰击半导体表面，电子跃迁并弛豫至未占据的空轨道（导带）时，会辐射出特征光子。通过高灵敏度光学探测器收集这些光子，测定其能量分布，从而直接描绘材料费米能级以上的未占据态能带结构。

原理：将样品置于强外加静磁场中，未成对电子的自旋能级发生塞曼分裂；当垂直施加的微波频率能量恰好等于能级差时，电子发生共振跃迁并吸收微波能量，通过检测微波吸收的一阶导数谱线，提取自旋体系的结构信息。

原理：特定波长下，光催化反应消耗的电荷数与系统接收的入射光子总数之比。利用单色光持续照射密闭反应器内的光催化体系，通过气相色谱精确定量目标产物（如 H2、O2、CO等），结合辐射照度计测得的绝对光功率密度，依据微观化学计量比计算出宏观的光化学转化概率极限。

原理：控制工作电极的电势以恒定的速率（扫描速率，v）随时间呈单一方向的线性连续扫描，同时记录流经工作电极与对电极之间的电流响应。通过解析伏安曲线上的起峰电位与扩散极限电流，研究电极表面发生的电子转移与物质扩散动力学。

原理：在微幅周期性正弦扰动波叠加的直流背景偏置光照射下，通过频域分析提取光电化学体系交流光电流响应幅值与相位的原位交流阻抗技术。

原理：利用斩波器调制的单色光扫射材料表面，通过透明导电极与材料表面形成的开路电容耦合结构，精密测量光生电子-空穴对在表面与体内分离、并向表面扩散聚集所引起的宏观表面电势相对变化。

原理：一种探究半导体禁带中深能级缺陷态分布的高灵敏度热释电学技术。在极低温度下，利用高于带隙的光照射样品，使光生载流子被缺陷陷阱捕获并“冻结”；随后在绝对暗场下以恒定速率对样品加热，记录被捕获电荷获取热能逃逸回导带/价带所产生的微弱释放电流波形。

原理：用强泵浦光激发材料产生非平衡载流子，同时利用弱连续（或脉冲）探测光穿透样品，精密测量透射率的微小相对变化（ΔT/T），以揭示激发态载流子向更高能级跃迁或被陷阱捕获的动力学演化过程。