具体测试对象：
直接转换型半导体辐射探测器、闪烁体耦合型半导体探测器
气体探测器半导体电极、金刚石辐射探测器
中子转换层半导体探测器等含结型结构的辐射探测材料与器件
1 项目介绍
原理：对半导体辐射探测器PN结或肖特基结施加反向偏压，周期性施加电压脉冲使陷阱态填充，脉冲结束后陷阱以热发射释放载流子，引起结电容瞬态变化。通过率窗分析电容瞬态时间常数随温度的变化，提取陷阱激活能、浓度及俘获截面。
作用：定量表征辐射探测材料中深能级缺陷，鉴别影响电荷收集效率与暗电流的陷阱中心。可分析辐照诱导缺陷的类型与能级位置；评估材料生长工艺对缺陷密度的抑制效果；为探测器暗电流优化与抗辐照加固设计提供缺陷能级指纹。
2 样品要求
探测器须具有整流结，如肖特基结或PN结，且反向漏电流须在测试温度范围内足够低以维持结电容特性。欧姆接触须低阻可靠。耗尽层内陷阱浓度须处于可检测范围。测试须在真空或惰性气氛低温恒温器中完成，温度扫描范围须覆盖陷阱发射峰。电容测量频率须足够高以避开慢陷阱响应及低频频散。
3 常见问题
3.1辐照后缺陷能级展宽与多峰叠加。
高剂量辐照产生连续分布的缺陷态或多种能量接近的陷阱中心，导致DLTS谱峰严重重叠、表观峰宽化，单峰拟合无法分辨。需结合高分辨拉普拉斯DLTS算法分解多指数瞬态，并对Arrhenius图进行多分量线性拟合分离各陷阱能级。
3.2结漏电流过大导致电容测量失真。
辐射探测器经高剂量辐照后结漏电流增大，电容测量的并联电导分量超过测量容限，导致表观电容偏移，掩盖陷阱填充的微小电容瞬态信号，率窗谱基线严重倾斜。须通过变温暗态I-V筛选漏电流小的器件，采用并联电导-电容模型校正，并利用反馈补偿电路减小电导影响。
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