原理：固定光谱仪的发射检测波长（通常为特征发光峰），连续扫描激发光源的波长（即改变入射光子能量），记录荧光强度随激发波长变化的相对分布图谱，从而直接揭示材料从基态到高激发态的辐射吸收与能量传递网络。

原理：在极低温下利用光子或高能射线将载流子注入并冻结在材料的缺陷陷阱中；随后以恒定速率加热样品，被捕获的载流子随温度升高获得热能，跃迁至导带或价带并在外加电场下漂移形成瞬态电流。通过记录电流随温度的分布（TSC 谱），可精准映射陷阱的物理特性。

原理：利用已知能量的标准放射源照射闪烁体，收集激发的全部光子，并经光电探测器（如 PMT）量子效率与信号放大链校准后，计算出材料每沉积 1 MeV 能量所绝对产生的本征光子数。

原理：通过已知绝对发射率的标准放射源定距照射探测器，严格测定单位时间内多道分析器记录的脉冲计数率与放射源实际粒子发射率的比值，从而建立全能峰效率与入射能量的物理关系。

原理：半导体吸收泵浦光后经无辐射复合释热，在表面介质中形成折射率梯度场。平行掠射的探测激光穿透该热场时发生偏转，通过精密测量此偏转角，即可精确提取宽禁带材料极微弱的亚带隙本征光吸收系数与缺陷态分布。

原理：在固定高频交流微扰下，对肖特基结或MOS结构施加直流偏压并测量其微分电容。利用1/C2与电压（V）的线性外推关系，通过直线斜率与截距逆向解析半导体内部的能带特征。

原理：在特定电学偏置下，将宽禁带半导体器件端点输出的微小电流或电压涨落信号转换至频域，提取其噪声功率谱密度的无损表征技术。其原理是基于载流子被缺陷捕获/释放或晶格散射的随机性。

原理：利用高能聚焦电子束穿透器件表面的绝缘钝化层，在深埋的金属互连线或半导体体内注入大量电荷。这些电荷沿最低阻抗网络传导至外部微纳探针，形成吸收电流。将该纳安级微弱电流的强度变化与电子束的二维扫描坐标同步映射，即可实现次表面导电网络的精准可视化。

原理：利用能量连续可调的低能电子束（通常为 5~20 eV）轰击半导体表面，电子跃迁并弛豫至未占据的空轨道（导带）时，会辐射出特征光子。通过高灵敏度光学探测器收集这些光子，测定其能量分布，从而直接描绘材料费米能级以上的未占据态能带结构。

原理：将样品置于强外加静磁场中，未成对电子的自旋能级发生塞曼分裂；当垂直施加的微波频率能量恰好等于能级差时，电子发生共振跃迁并吸收微波能量，通过检测微波吸收的一阶导数谱线，提取自旋体系的结构信息。

原理：特定波长下，光催化反应消耗的电荷数与系统接收的入射光子总数之比。利用单色光持续照射密闭反应器内的光催化体系，通过气相色谱精确定量目标产物（如 H2、O2、CO等），结合辐射照度计测得的绝对光功率密度，依据微观化学计量比计算出宏观的光化学转化概率极限。

原理：控制工作电极的电势以恒定的速率（扫描速率，v）随时间呈单一方向的线性连续扫描，同时记录流经工作电极与对电极之间的电流响应。通过解析伏安曲线上的起峰电位与扩散极限电流，研究电极表面发生的电子转移与物质扩散动力学。