具体测试对象：
二维半导体材料光电探测器、范德华异质结光电探测器
二维材料/量子点复合光电探测器、二维钙钛矿光电探测器、拓扑绝缘体光电探测器等
1 项目介绍
原理：以已知光谱辐射功率的单色光照射二维材料探测器，测量器件在特定偏压下输出的短路电流或光电流，计算收集到的电子数与入射光子数之比，获得外量子效率随波长变化的光谱曲线。入射光子通量须由标准探测器预先标定。
作用：表征二维材料光电探测器的光子-电子转换效率，评价器件在不同波长下的灵敏度。可分析二维材料层数、应变及缺陷对光吸收与载流子收集效率的影响；评估范德华异质结界面电荷转移效率；为二维光电器件性能优化与机理研究提供光谱分辨的定量效率参数。
2 样品要求
二维材料探测器须制备电极形成可靠电学接触，沟道光敏区域面积须精确已知。材料表面须洁净，无光刻胶残留或转移聚合物污染。测试须在屏蔽暗箱中进行以消除环境杂散光干扰。偏压源输出纹波须低于最小光电流信号。若器件需栅压调控，栅介质漏电流须远小于沟道光电流。标准探测器须在测试波段内经校准。
3 常见问题
3.1光斑与二维材料沟道尺寸失配。
二维材料探测器光敏区通常为微米量级，单色光斑若大于沟道区域，部分光子照射至非活性区，短路电流被低估；若光斑过小未覆盖整个沟道，代表性不足，须通过显微光路将光斑聚焦至略小于沟道尺寸。
3.2二维材料光响应滞后与扫描速率耦合。
部分二维材料中陷阱态对载流子俘获-释放时间常数较长，波长扫描速率过快时，每一波长点光电流未达稳态，光谱形状出现扫描方向依赖性，须降低扫描速率并验证稳态条件。
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