具体测试对象：
二维材料场效应晶体管（FET）
二维范德华 p-n 异质结（如 WSe2/MoS2）
金属-二维半导体接触界面（肖特基结）等
1 项目介绍
原理：利用衍射极限聚焦的激光束在器件表面进行二维逐点扫描，原位激发出局部电子-空穴对；载流子在材料内部或界面处的内建电场驱动下分离形成光电流。将提取的电流幅值与激光空间坐标映射，即可绘制出光电响应的二维物理图像。
作用：测量短路光电流（Isc）空间二维图谱、少数载流子空间扩散长度（LD）、内建电场（耗尽区）宽度。能够直观可视化二维异质结的真实物理耗尽区分布；精准定位金属电极接触面的势垒不均匀性；甄别器件中由于掺杂涨落或晶格缺陷引起的光电转换活性热点。
2 样品要求
SPCM 属于光电交叉表征。二维样品不能仅是绝缘基底上的裸片，必须经过微纳加工（如电子束曝光 EBL 与金属沉积）制备出高精度的源极与漏极，并引线绑定至芯片载体。电极间距（沟道长度）通常需大于 2 μm，以确保高斯激光束能完全聚焦于沟道中心而不受电极边缘遮挡。
3 常见问题
3.1 局域光氧化与物理烧毁。
显微物镜将激光能量极限压缩在亚微米光斑内，中心功率密度可达数百 kW/cm2。在此极端光压与热积累下，单原子层二维材料表面极易与环境中的水氧发生不可逆的光化学氧化反应，导致扫描区域发生永久性相变甚至物理烧蚀。极度脆弱的样品必须在真空腔室或变温冷台中进行低功率标定扫描。
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