具体测试对象：
二维半导体材料光电探测器、范德华异质结光电探测器
二维材料/量子点复合光电探测器、二维钙钛矿光电探测器、拓扑绝缘体光电探测器等
1 项目介绍
原理：在噪声等效功率测量基础上，将探测器光敏面积与测量带宽的平方根乘积除以噪声等效功率，获得比探测率。该参数将探测灵敏度归一化至单位面积和单位带宽，消除了器件尺寸与测量条件差异对灵敏度比较的干扰。D*值越大表示探测器对微弱光信号的探测能力越强。
作用：提供可跨器件类型与规格直接比较的归一化灵敏度品质因数。可评价二维材料层数、缺陷密度及界面质量对探测极限的影响；比较不同范德华异质结结构的弱光探测潜力；为二维光电探测器在弱光成像、环境监测等应用中的选型与系统设计提供核心参考指标。
2 样品要求
探测器暗态噪声须稳定可测，暗电流与噪声功率谱密度须在规定偏压下预先测定。器件光敏面积须精确已知，面积定义须排除非活性区域。噪声测量带宽须明确并报告，带宽选择应避开1/f噪声主导的低频区。偏置电源须低纹波，电磁屏蔽须充分。二维材料表面须洁净，测试环境须控温以避免热致噪声漂移。
3 常见问题
3.1环境气氛影响。
氧气和水分子在二维材料表面的吸附-脱附动力学引起电荷态涨落，贡献额外的低频噪声，使D具有环境依赖性。测试须在真空或干燥惰性气氛中进行，并报告测试气氛条件。
3.2光敏面积定义偏差。
二维材料探测器有效光敏区可能因转移工艺中的褶皱、气泡或边缘损伤而小于几何台面面积。面积高估导致D*虚高，须以光电流扫描成像确定有效光敏区面积，或采用掩膜版限定辐照区域。
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