具体测试对象：
半导体辐射探测器（HPGe、Si-PIN、CdTe等）
闪烁体探测器、硅光电倍增管、气体探测器
金刚石探测器、中子探测器、热释光剂量计材料等
1 项目介绍
原理：以一系列已知能量和注量率的单能光子或粒子束流辐照待测探测器，同步记录探测器输出信号（计数率、电流或电荷量），逐能量点计算响应度，即单位入射辐射通量或注量下探测器的输出幅度。由此建立响应度随辐射能量变化的函数关系曲线。
作用：测定探测器对不同能量辐射的灵敏度差异，评价能量线性范围与响应平坦度。可提取探测效率随能量的变化趋势；为剂量当量测量提供能量响应校正因子；验证探测器设计指标的达标情况；为辐射监测系统在混合能量场中的准确量化提供标定依据。
2 样品要求
待测探测器须可在额定偏压下稳定工作，读出电子学链路（前置放大器、主放大器）噪声及带宽满足测量要求。闪烁体探测器须与光电转换器件良好耦合，光学界面无脱粘或氧化。探测器与辐射源之间几何条件须精确固定，散射本底须通过准直和屏蔽降至可接受水平。测试环境须恒温以避免探测器增益漂移。探测器在测试能量范围内不应出现显著的死时间损失或脉冲堆积效应。
3 常见问题
3.1探测器灵敏体积内电场非均匀性。
半导体探测器中晶体缺陷或电极边缘效应导致电荷收集效率随位置变化，不同能量光子因穿透深度不同在非均匀区产生信号涨落，能量响应偏离理想线性。须通过扫描微束或不同准直位置测量以评估电荷收集均匀性，并对电极结构进行优化。
3.2温度对增益的调制。
半导体探测器的漏电流、闪烁体发光效率及光电倍增管增益均具有温度敏感性。长时测量中环境温度波动引起探测器输出幅度漂移，与能量响应特征混淆。须在恒温条件下测量，或以温度传感器监测并实时修正增益变化。
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