具体测试对象：
半导体体单晶（Si、GaA等）、外延薄膜及异质结构
量子阱及超晶格截面、半导体纳米线及量子点
二维半导体材料、金刚石及宽禁带半导体、LED及激光器结构截面等
1 项目介绍
原理：在扫描电子显微镜中，以高能电子束（1-30 keV）轰击半导体样品，电子在样品内激发电子-空穴对，载流子经扩散和弛豫后通过辐射复合发射光子。收集发射光强随波长的分布，获得阴极发光光谱，空间分辨率可达纳米量级。
作用：以亚微米空间分辨率表征半导体材料的发光特性，同时获取形貌与光谱信息。可分析外延层截面中缺陷、位错及堆垛层错的非辐射复合中心分布；识别多晶型或相分离区域的局域发光差异；评估量子阱组分均匀性与界面质量；为微纳光电器件失效定位提供高空间分辨的光学诊断。
2 样品要求
样品须表面清洁平整，在电子束轰击下稳定，不产生显著电荷积累。导电性较差的样品需预先溅射薄层导电碳膜或金膜以消除荷电效应。样品须可真空兼容，不释放挥发性气体。截面样品须采用解理或离子抛光制备新鲜表面，避免机械抛光残留损伤层干扰发光信号。热敏感样品须采用低束流和快速采集模式以减少辐照损伤。
3 常见问题
3.1表面复合效应主导信号来源。
电子束穿透深度仅数百纳米，光生载流子主要分布于表面近区。机械抛光或离子切割引入的表面损伤层存在高密度非辐射复合中心，阴极发光强度显著低于体材料本征值，缺陷相关发光被增强。须采用化学腐蚀去除损伤层或解理获得原子级平整表面，并对比不同加速电压下的光谱以评估表面贡献比例。
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