具体测试对象：
半导体衬底及外延片（GaN、SiC等）、介质薄膜（SiO₂等）
多晶硅/非晶硅薄膜、金属薄膜、半导体异质结构及超晶格
二维材料（MoS₂、WS₂等）薄膜、光刻胶及有机半导体薄膜等
1 项目介绍
原理：以已知偏振态的线偏振光斜入射至样品表面，测量反射光偏振态的变化，即振幅比角Ψ和相位差角Δ。通过建立光学色散模型对Ψ、Δ谱进行拟合，反演出薄膜的厚度、折射率n和消光系数k。
作用：非接触式测定半导体薄膜厚度及光学常数，单次测量可同时获得厚度和n、k谱。可由介电函数谱提取带隙、激子跃迁等电子结构信息；表征多层膜各层厚度及组分；分析表面粗糙度及界面过渡层；监控外延生长速率及均匀性，为工艺控制提供在线或离线计量手段。
2 样品要求
样品表面须为镜面或近镜面反射，均方根粗糙度远小于测量波长。面积须大于光斑尺寸，通常要求数毫米见方。衬底光学常数须已知或与薄膜光学性质有足够差异，以保证模型拟合收敛。透明衬底背面须作磨砂处理或涂覆吸收层以抑制背反射干涉。测试前须对样品结构有初步了解，以建立合理的多层光学模型初始参数。
3 常见问题
3.1表面粗糙度与界面层未被建模。
实际样品表面存在纳米级起伏，界面处可能存在组分渐变或混合层。若在模型中仅采用理想明锐界面，会导致n、k提取值偏离本征值，厚度被低估或高估。须在光学模型中引入有效介质近似粗糙层或界面过渡层，并以原子力显微镜独立测量粗糙度作为参考。忽略表面自然氧化层亦会引入类似系统偏差。
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