具体测试对象：
超导测辐射热计
高纯硅/锗半导体探测器
硅光电倍增管阵列（SiPM）等
1 项目介绍
原理：是在 1 Hz 测量带宽下，探测器输出端产生与固有本底噪声均方根值相等的电信号时，所需的最小入射辐射功率。通过测定绝对噪声谱密度与物理响应率，依据公式NEP=in/Ri提取信噪比为 1 时的辐射探测极限，是衡量探测器极限灵敏度的核心指标。
作用：测量不同偏置下的电压/电流响应率、本底噪声功率谱密度（包括热噪声、散粒噪声与1/f噪声分量）、特定频段的绝对 NEP 谱。能够定量界定弱辐射通量的绝对探测下限；判别漏电流散粒涨落与晶格声子热涨落对总噪声的独立物理贡献；为核电子学读出电路匹配最优的成形时间以逼近散粒噪声极限。
2 样品要求
探测器的散粒噪声严格正比于稳态暗电流。辐射探测材料必须具备极高的体电阻率，且与电极形成高度平整的无势垒接触。若界面存在非理想肖特基势垒或晶界漏电通道，将诱发强烈的1/f闪烁噪声及巨大的电流涨落背景，导致探测器在低频工作域的 NEP 发生多个数量级的恶化。
3 常见问题
3.1 机械振动干扰。
在极低频（小于100 Hz）测量域内，与探测器耦合的闭循环制冷机的周期性机械振动，或同轴信号线缆的轻微位移摩擦，均会通过寄生电容的变化直接转化为交变位移电流。这种机械震动起源的假性位移噪声会覆盖前置放大器的真实本底，致使低频段 NEP 谱线出现剧烈的非物理梳状谐波尖峰。
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