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3dB宽带测试-东谱实验室
原理:以正弦调制或扫频调制的光信号激励待测探测器,调制频率从低频至高频连续扫描,同步记录探测器输出电信号的幅度,绘制频率响应曲线,确定输出信号幅度下降至低频参考值3dB处对应的上限截止频率,即器件的3dB光电响应带宽。
瞬态光电压(TPV)-东谱实验室
原理:以脉冲单色光或白光激励待测器件,器件在开路或高阻负载条件下产生光电压响应,通过高输入阻抗高速数据采集系统记录光电压从建立到衰减的完整时域波形。光脉冲脉宽远短于器件载流子复合寿命,以保证衰减过程完全由器件内部载流子动力学支配。
方波脉冲响应测试-东谱实验室
原理:以快速上升沿的方波调制光脉冲激励待测探测器,光脉冲宽度须远大于探测器预期响应时间,通过高速示波器或瞬态记录仪捕获探测器输出电信号的时域波形,从波形中提取探测器对光脉冲建立和消失的瞬态响应特征参数。
转移特性与输出特性测试-东谱实验室
原理:转移特性测试在固定漏-源偏压下扫描栅-源电压,记录漏极电流随栅压的变化关系;输出特性测试在固定栅压下扫描漏-源电压,记录漏极电流随漏压的变化关系。两种测试构成器件完整的直流电学特性表征,在暗态与光照条件下分别执行以揭示光对沟道电导的调控行为。
噪声等效功率测试(NEP)-东谱实验室
原理:在屏蔽暗场条件下,测量探测器在特定偏压和调制频率下的噪声电压或电流功率谱密度,同时测量其在已知辐射功率下的响应度,将噪声谱密度除以响应度,计算出噪声等效功率,即信噪比为1时所需的最小入射辐射功率。
外量子效率测试(EQE)-东谱实验室
原理:以已知光谱辐射功率的单色光照射待测器件,测量器件在短路或特定偏压下输出的短路电流或光电流,计算收集到的电子数与入射光子数之比,获得外量子效率随波长变化的光谱曲线。入射光子通量须由标准探测器预先标定,以建立各波长下光功率-光子数的准确对应关系。
弱光响应度测试-东谱实验室
原理:采用经精确衰减至纳瓦(nW)或皮瓦(pW)量级的标定弱光照射待测探测器,通过锁相放大器、光子计数或门控积分等微弱信号提取技术,测量器件在极低入射光功率下的输出信号,计算探测器的弱光响应度。测试须在严格电磁屏蔽和暗场条件下进行,以将背景噪声抑制至热噪声极限以下。
直流响应度测试-东谱实验室
原理:以已知辐射功率的稳态连续光照射待测探测器光敏面,在固定偏压或零偏条件下,通过精密源表直接测量探测器输出端产生的直流光电流或光电压,计算输出电信号与入射光功率之比,获得探测器的直流响应度。
黑体辐射响应度测试-东谱实验室
原理:以标准黑体辐射源作为已知光谱辐出度的宽带参考光源,将其辐射经调制后准直投射于待测探测器光敏面。探测器输出信号经锁相放大器或前置放大器提取,与黑体在探测器有效接收面积和视场角内所发射的积分辐射功率进行比对,从而获得探测器的电压或电流响应度对入射辐射功率的比值。
偏压光谱响应测试-东谱实验室
原理:在单色仪扫描光谱响应测试基础上,将施加于待测探测器两端的直流偏置电压作为第二维度变量,在不同偏压条件下逐一执行完整波段的光谱响应扫描,记录器件光电流或响应度随波长与偏压变化的二维矩阵数据,以表征器件光电转换特性对电场强度的依赖关系。
单色仪扫描光谱响应测试-东谱实验室
原理:以宽谱光源经单色仪分光产生波长可调的单色窄带辐射,按预设步长依次投射于待测探测器光敏面,同步记录各波长下器件的输出光电流或电压,与已标定的标准探测器响应值逐点比对,经归一化处理后获得待测器件的相对或绝对光谱响应度曲线。
空间分辨发光光谱-东谱实验室
原理:将高分辨光学显微系统与高灵敏度光谱仪进行物理耦合。通过将激发光源聚焦至微米甚至亚微米量级的极小光斑,结合精密自动位移台进行逐点探测,或者利用面阵探测器获取高光谱图像,从而构建出样品表面发光特征参数(波长、强度等)的二维或三维空间分布物理地图。
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