具体测试对象：
微型发光二极管（microLED）阵列外延片
有机发光二极管（OLED）老化产生的微观暗斑
杂化钙钛矿多晶薄膜的晶界与相分离区域等
1 项目介绍
原理：将高分辨光学显微系统与高灵敏度光谱仪进行物理耦合。通过将激发光源聚焦至微米甚至亚微米量级的极小光斑，结合精密自动位移台进行逐点探测，或者利用面阵探测器获取高光谱图像，从而构建出样品表面发光特征参数（波长、强度等）的二维或三维空间分布物理地图。
作用：测量局域发光强度制图、发光波长漂移制图、微区半峰宽（FWHM）分布、缺陷位点定位等。能够精准锁定微纳发光晶圆上的非辐射复合缺陷与位错中心；监控 microLED 阵列各像素间的光色电一致性；甄别混合卤素钙钛矿薄膜在光/电场诱导下的微观相偏析动力学演变过程。
2 样品要求
为了获得高信噪比的微区光谱，激发光（通常为激光）被极致压缩在亚微米光斑内，局域光功率密度极高。OLED 薄膜或钙钛矿材料在扫描过程中极易发生不可逆的光热烧蚀或光化学降解，因此测试常需大幅衰减激发功率，或使用高频脉冲调制激光结合锁定技术进行信号物理提取。
3 常见问题
3.1探测光诱导的局域物理相变。
在扫描杂化发光材料时，高密度的激发光本身就足以作为强大的外界刺激，直接改变局域能带结构（如诱发混合卤素晶体的卤素离子微观迁移与相偏析，或引起局域热膨胀导致带隙收缩红移）。这导致系统测得的分布图实际上是被探测光影响后的状态，而非材料本征的稳态物理分布。
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