具体测试对象:
硅基PIN光电二极管,雪崩光电二极管(APD)
CCD/CMOS图像传感器像素单元
InGaAs短波红外探测器、碲镉汞(MCT)中长波红外探测器等
原理:以宽谱光源经单色仪分光产生波长可调的单色窄带辐射,按预设步长依次投射于待测探测器光敏面,同步记录各波长下器件的输出光电流或电压,与已标定的标准探测器响应值逐点比对,经归一化处理后获得待测器件的相对或绝对光谱响应度曲线。
作用:测定探测器响应度随波长变化的函数关系,提取峰值响应波长、长波截止波长、短波截止波长及响应带宽。可计算外量子效率谱,评估器件在目标波段的灵敏度均匀性;为探测器材料能带结构分析提供实验判据;用于器件分级筛选、系统光谱匹配设计及辐射定标校准。
待测探测器须具备可被单色光束全覆盖的明确光敏区域,光敏面尺寸应大于单色光斑直径以避免边缘效应。器件须有可靠的欧姆接触电极引出,偏置电路连接后暗电流稳定且处于数据手册标称范围。封装型器件的光窗材料在测试波段内须具有已知且平坦的透射率,或可提供透射光谱以作修正。光敏面表面须无氧化层、油污或颗粒物附着。
3.1杂散光与高阶衍射干扰。
单色仪光栅高阶衍射分量未被长通滤光片充分抑制时,短波测试段会引入倍波长杂光,致使响应度测量值偏高。需根据当前扫描波段自动切入对应截止滤光片组。
3.2标准探测器校准偏差。
标准探测器自身响应度定标值存在不确定度,且部分热释电标准探测器对波长不平坦,若未逐点修正其修正因子,绝对响应度换算将引入系统性传递误差。

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