具体测试对象：
自旋发光二极管、自旋注入半导体异质结发光结构
铁磁/半导体肖特基结、稀磁半导体发光器件
二维材料自旋阀发光器件、手性钙钛矿发光二极管
拓扑绝缘体/半导体复合发光结构等
1 项目介绍
原理：通过铁磁电极或自旋注入层向半导体有源区注入自旋极化载流子，载流子在量子阱或发光层中辐射复合，发射光的圆偏振度与注入载流子的自旋极化率成正比。测量电致发光光谱及其圆偏振度随注入电流、偏压及磁场的变化关系。
作用：定量表征半导体中自旋注入效率、自旋极化载流子的输运与弛豫特性。可提取自旋注入极化的电学调控规律；分析界面缺陷与自旋散射对自旋极化损失的影响；评价自旋发光器件的圆偏振发光效率，为自旋光电子学器件性能优化提供直接实验判据。
2 样品要求
自旋发光器件须具备铁磁/半导体异质界面或自旋注入接触，铁磁电极磁化方向可控。发光有源区须具有高辐射复合效率以产生足够强度的电致发光信号。样品须在低温至室温范围内工作稳定。电注入须形成均匀电流分布，避免局部热点。测试须在磁屏蔽或可控外磁场环境中进行，以分离自旋极化发光与磁场诱导发光效应。
3 常见问题
3.1电注入发热与热载流子效应的干扰。
大电流注入下焦耳热使结区局部升温，晶格散射增强导致自旋弛豫加速，同时热载流子能量弛豫时间短于自旋弛豫时间，使圆偏振发光度呈现电流依赖性衰减。须采用脉冲电流源替代直流注入以降低平均热效应，并在多个占空比下验证圆偏振度的电流依赖性一致性。
3.2线偏振本底与光学对准误差。
电致发光经过样品窗口、收集透镜及单色仪等光学元件时，各向异性透过率及应力双折射将部分圆偏振转化为线偏振或退偏振，导致测得圆偏振度偏低。须以已知圆偏振度的标准光源校准收集光路的偏振传递函数，并对测量数据进行穆勒矩阵校正以还原真实圆偏振度。
复制产品链接
长按图片保存/分享
询盘
询盘
东谱科技（广州）有限责任公司 东谱检测
Copyright @ Oriental Spectra All Rights Reserved
热线：
020-66834066 / 18565438025
邮箱：
test@orientalspectra.com
地址：
广东省广州市天河区白沙水路长兴创兴港5栋
