原理：以线偏振或非偏振光激发样品产生光致发光，通过四分之一波片与线偏振分析器交替采集发射光的左旋与右旋圆偏振分量强度，计算圆偏振度随发射波长的变化。圆偏振度反映激发态载流子自旋极化率或手性诱导的自旋选择发光效率。

原理：以交替的左旋和右旋圆偏振光照射样品，测量样品对两种圆偏振光吸收的差异，即圆二色性信号随波长的变化。该信号来源于材料的手性结构或磁有序诱导的电子态对称性破缺，反映基态到激发态跃迁的选择定则对光子自旋的依赖。

原理：以圆偏振光激发样品，根据光学选择定则在半导体中产生自旋极化载流子，载流子辐射复合发射光子，其圆偏振度与载流子自旋极化率成正比。通过分析发射光的左旋与右旋圆偏振分量强度，获得发射光谱各波长处的圆偏振度。

原理：通过铁磁电极或自旋注入层向半导体有源区注入自旋极化载流子，载流子在量子阱或发光层中辐射复合，发射光的圆偏振度与注入载流子的自旋极化率成正比。测量电致发光光谱及其圆偏振度随注入电流、偏压及磁场的变化关系。

原理：以圆偏振光激发样品，利用光学选择定则在半导体中产生自旋极化载流子，自旋极化电子与空穴在不同电极间输运，在外加偏压或内建电场作用下形成圆偏振相关光电流。测量光电流随激发波长或圆偏振态的变化关系。

原理：以远低于自旋激发阈值的线偏振探测光照射样品，通过平衡光电探测实时监测自旋极化涨落导致的探测光偏振法拉第旋转噪声。对噪声功率谱进行傅里叶变换，获得自旋噪声谱，中心频率和线宽直接反映自旋进动频率与弛豫速率。

原理：以圆偏振超短泵浦光脉冲激发样品，利用角动量守恒产生自旋极化载流子，随后以时间延迟的线偏振探测脉冲测量样品反射率或透射率的变化。探测光偏振旋转角或椭圆率变化反映自旋极化的弛豫与退相干过程。

原理：置于恒定静磁场中的宏观磁化矢量，在相互垂直的微波高频交变磁场驱动下发生拉莫尔进动；当外加微波频率与系统本征进动频率达到共振匹配时，磁矩从微波场中强烈吸收能量，产生极大的高频能量损耗。

原理：向自旋源/铁磁层异质结注入低频交流电，利用自旋霍尔效应或Rashba效应产生的振荡自旋流驱动磁矩进动；该微小进动与交变电流通过反常霍尔效应（AHE）发生物理混频，在横向产生携带自旋力矩信息的高阶谐波电压（主要为二次谐波）。

原理：是利用偏振光子角动量在半导体中注入非平衡自旋极化的光学表征技术。圆偏振光子携带恒定角动量，依据偶极跃迁选择定则，材料吸收光子时角动量选择性传递给受激载流子，打破自旋向上与向下的布居简并，实现宏观自旋取向。

原理：外磁场打破了系统的时间反演对称性，导致本征简并的电子能态发生塞曼劈裂；材料吸收不同旋向的偏振光时，跃迁至不同自旋/轨道角动量状态，从而产生与外加磁场强度严格相关的微商型或高斯型差分吸收信号。

原理：在外加磁场（打破时间反演对称性）与低温环境下，利用光泵浦或电注入方式激发自旋极化电子；通过高精度偏振光学检测系统分离并测量左旋（σ+）与右旋（σ−）圆偏振荧光的绝对强度，计算其偏振度，结合材料的总体发光量子产率，最终推导出自旋到光子的转换效率。