具体测试对象：
直接转换型半导体辐射探测材料
闪烁体材料电子结构研究、中子探测用转换层材料
探测器电极/半导体界面、异质结辐射探测结构等
1 项目介绍
原理：以单色X射线或紫外光照射样品表面，激发光电子逸出，测量光电子动能及出射角度，依据能量与动量守恒，获得固体材料价电子的能量-动量色散关系即能带结构。适用于晶体表面及界面电子态研究。
作用：测定辐射探测材料的能带色散、费米面拓扑、功函数及表面态。可分析半导体探测器中载流子有效质量与迁移率的电子结构起源；评估异质结能带偏移对电荷收集的影响；为探测器接触金属化选择提供功函数匹配依据；揭示辐照诱导电子结构变化。
2 样品要求
样品须为单晶、外延薄膜或解理表面，表面在原子尺度洁净。测试须在超高真空环境（优于10⁻¹⁰ mbar）中原位解理或经氩离子溅射退火处理以去除氧化层和吸附物。样品须导电或通过接地消除荷电效应，尺寸适配样品架。测试前须确认样品在光源辐照下无严重辐照损伤。
3 常见问题
3.1样品荷电效应引起能量偏移。
宽禁带辐射探测材料导电性差，光电发射导致表面积累正电荷，使光电子动能持续降低，谱峰移动并展宽。须以电子枪进行低能电子中和，并实时以费米边或已知芯能级校准能量标尺，验证中和后谱图稳定性。
3.2光源辐照损伤与光化学反应。
高强度同步辐射或紫外光源可能诱发辐射探测材料表面光解、缺陷生成或化学态变化，特别是含卤素化合物和有机闪烁体，导致谱图随时间演变。须降低光源通量、缩短采集时间，并在测量前后对比全谱以评估辐照效应。
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