具体测试对象：
直接转换型半导体辐射探测器、气体探测器
闪烁体耦合型辐射探测器、金刚石辐射探测器
中子探测器、X射线光子计数探测器、辐射剂量计探测器等
1 项目介绍
原理：在屏蔽暗场条件下，测量探测器在特定偏压下的噪声电压或电流功率谱密度，同时测定其对已知辐射通量的响应度，将噪声谱密度除以响应度，计算出噪声等效功率，即探测器输出信噪比为1时所需的最小入射辐射功率。
作用：定量表征辐射探测器的极限探测灵敏度，提供可直接比较的品质因数。可建立NEP与偏压、温度及辐射能量的依赖关系；为探测器噪声来源分析提供实验数据；结合探测面积计算比探测率，为低剂量成像系统、辐射监测及能谱分析中探测器的选型与系统信噪比预估提供依据。
2 样品要求
探测器须置于电磁屏蔽暗箱内，外壳和测试夹具须可靠接地以抑制外界电磁耦合。偏置电路须采用电池或低纹波高压电源供电，避免电源纹波叠加至噪声测量链路。探测器在暗态下须工作稳定，漏电流无持续漂移或随机电报噪声。闪烁体探测器须确认余辉对噪声测量的干扰可控。若需制冷，制冷系统温度须稳定，避免温度波动引入热噪声涨落。测试用辐射源输出须稳定且注量率确知。
3 常见问题
3.1前置放大器噪声贡献分离。
测量链路中前置放大器的输入噪声电压与电流同时作用于探测器输出阻抗，总噪声包含放大器噪声分量。若未进行噪声模型分离，所得NEP反映系统级噪声而非探测器本征值。须测量放大器短路输入噪声谱及开路噪声谱，建立其噪声模型并从总噪声中扣除。
3.2高压电源纹波与微放电噪声。
高压偏置电源的开关频率纹波及整流谐波经偏置电路注入探测器，在噪声谱中出现离散线谱或宽带抬升。辐射探测器高偏压下微放电或电晕放电也产生脉冲型噪声。须采用线性稳压高压电源，并在偏置回路中串入低通滤波以抑制纹波，目视检查连接器及电缆的放电痕迹。
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