具体测试对象：
半导体光电探测器（Si、Ge、InGaAs、HgCdTe等光电二极管）
雪崩光电二极管及单光子雪崩二极管、金属-半导体-金属光电探测器
半导体量子阱及超晶格红外探测器、二维半导体材料光电探测器
半导体纳米线及量子点光电探测器、异质结光电晶体管等
1 项目介绍
原理：以短脉冲光照射处于恒定偏压下的半导体器件，光生载流子在内建电场或外加电场驱动下漂移至电极形成瞬态光电流。光脉冲结束后，载流子通过复合、俘获及渡越过程逐渐衰减。采用高速电流放大器与示波器记录光电流随时间的变化，由衰减波形提取载流子输运动力学参数。
作用：表征半导体器件中光生载流子的渡越时间、陷阱俘获-释放时间常数及载流子收集效率。可分析载流子在耗尽层及中性区的传输与复合动力学；区分快响应漂移分量与慢响应扩散分量；评估深能级缺陷对探测器响应速度的限制；为高速光电探测器的带宽优化与结构设计提供时域实验依据。
2 样品要求
待测半导体须制备欧姆接触电极，接触电阻远小于器件体电阻，且电极结构须可施加均匀偏压。器件可为平面叉指结构、垂直PN结或肖特基结结构，以提供载流子收集电场。光脉冲波长须短于半导体吸收边，脉冲宽度须远短于待测载流子渡越时间，光斑须均匀覆盖器件光敏区域。偏置电源输出纹波须低于最小瞬态光电流幅度。测试全程须在屏蔽暗箱中进行，测量链路带宽须覆盖瞬态信号频谱范围。
3 常见问题
3.1光脉冲电学串扰与电磁耦合。
脉冲激光器驱动电路产生的大电流瞬态在空间辐射电磁脉冲，通过电容耦合或电磁感应串入探测器输出回路，在光电流波形中叠加尖锐的虚假脉冲。该串扰与真实光电流在时间上同步，无法通过简单的时间延迟区分。须采用电磁屏蔽隔离激光驱动电路与探测器测试电路，使用双层屏蔽电缆传输信号，或对比有无光照条件下的输出波形以识别并扣除电串扰分量。
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