具体测试对象：
半导体光伏器件及结构（Si、GaAs、钙钛矿等太阳能电池）
PN结及PIN结构、肖特基结、异质结双极晶体管结构
量子阱及超晶格结构、二维半导体范德华异质结等
1 项目介绍
原理：以短脉冲光照射开路条件下的半导体器件，光生载流子在内建电场下分离并积累于结区两侧，产生开路电压。光脉冲结束后，积累电荷通过复合过程衰减，电压随之下降。采用高输入阻抗采集系统记录电压衰减曲线，由衰减时间常数提取载流子复合寿命。
作用：表征半导体器件中光生载流子的复合动力学，提取少数载流子等效复合寿命。可评价钝化层对表面复合的抑制效果；分析深能级缺陷对载流子寿命的影响；区分体复合与界面复合的相对贡献；为光伏器件及双极器件的材料品质与界面工程提供定量判据。
2 样品要求
待测半导体须形成具有内建电场的结结构，如PN结、PIN结或肖特基结，以提供光生载流子分离驱动力。器件须处于开路状态，测量回路输入阻抗须远大于器件并联电阻，以确保电压衰减由复合过程而非外电路RC放电支配。电极接触须为欧姆接触，接触电阻不影响开路电压测量。光脉冲波长须短于半导体吸收边，脉冲宽度须远短于待测载流子寿命，光斑须均匀覆盖器件有效区域。测试全程须在屏蔽暗箱中进行。
3 常见问题
3.1测量系统输入阻抗不足。
开路电压衰减测量要求外电路时间常数远大于载流子复合寿命。若前置放大器或示波器探头输入阻抗不够高，器件结电容与输入阻抗构成的RC放电时间常数可能与复合寿命可比拟，电压衰减曲线偏离本征复合过程，导致寿命被低估。须选用输入阻抗大于10¹²Ω的静电计或缓冲放大器，并验证改变输入阻抗时衰减曲线不变。
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