具体测试对象：
无机半导体粉末光催化剂（TiO₂、ZnO等）
半导体光催化薄膜、掺杂及固溶体光催化剂
异质结光催化剂、量子点光催化剂、缺陷态工程改性光催化剂等
1 项目介绍
原理：以脉冲激光照射样品激发荧光，采用时间相关单光子计数或条纹相机技术，在激发脉冲间隔内记录荧光强度随时间的衰减曲线。荧光衰减速率反映激发态载流子通过辐射与非辐射复合路径失活的动力学过程，拟合衰减曲线可获得荧光寿命及其分布。
作用：定量表征光催化剂中光生载流子的复合寿命，区分辐射复合与非辐射复合对载流子衰减的贡献。可评价缺陷态、掺杂或异质界面对载流子寿命的调控效果；比较体相与表面复合速率的相对大小；为光催化剂电荷分离效率的优化提供直接的时间尺度实验判据。
2 样品要求
粉末样品须研磨均匀，可分散于惰性溶剂中形成悬浮液，或沉积于石英、玻璃等无荧光衬底上制成薄膜。薄膜样品膜厚须均匀，表面平整无裂纹。溶剂或分散介质在激发波长与荧光发射波段须无荧光背景。样品在激发波长处须有足够吸收，激发光斑功率密度须控制适中以避免高注入效应引起非线性复合过程。样品光稳定性须在测试激光持续照射下不被光降解或光漂白。
3 常见问题
3.1高注入水平导致的寿命偏差。
激发光功率过高时，光生载流子浓度远高于平衡态，多体俄歇复合或激子-激子湮灭使荧光衰减加速，测得的表观寿命低于低注入下的本征值，须在多个激发功率下验证寿命的功率依赖性。
3.2散射光与反射光干扰。
粉末样品中激发光在颗粒间散射，部分散射光进入检测器叠加于荧光信号，短时间区衰减曲线出现虚假快分量，须选用高消光比单色仪或滤光片抑制激发杂散光。
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