具体测试对象：
半导体光催化薄膜、掺杂及固溶体光催化剂
异质结光催化剂、量子点光催化剂
金属-有机框架光催化剂、缺陷态工程改性光催化剂等
1 项目介绍
原理：以光子能量大于半导体带隙的激发光照射样品，价带电子受激跃迁至导带，随后通过辐射复合回到基态并发射荧光光子。检测发射光的强度随波长的分布，获得光致发光光谱。峰位对应带间或缺陷能级辐射复合能量，峰强反映辐射复合效率。
作用：表征光催化剂的能带结构、缺陷态能级及载流子复合速率。带边发射峰评估带隙与结晶质量，缺陷相关发射峰鉴别空位或杂质能级位置；稳态荧光强度定性比较载流子复合快慢，低荧光强度通常对应高电荷分离效率，为光催化剂缺陷调控与异质结构设计提供光学判据。
2 样品要求
粉末样品须研磨均匀，可装填于固体样品池或以分散液滴涂于惰性衬底上制成薄膜。薄膜样品须沉积于无荧光本底的非晶玻璃或石英衬底上，膜厚须均匀且避免开裂。样品须干燥，水分羟基等荧光淬灭剂影响发射强度。激发波长须短于样品吸收边，且避免与拉曼散射峰重叠干扰。样品在激发波长处须有足够吸光度，以确保可检出荧光信号。
3 常见问题
3.1样品自吸收效应。
发射光在样品内部被再吸收，导致短波侧荧光强度衰减，光谱形状失真，带隙能量偏移。可降低样品浓度或采用前表面激发收集几何。
3.2激发光杂散光泄漏。
激发光源的单色光泄漏至检测器，与样品荧光叠加，在激发波长附近产生尖锐假峰，须配置合适的长通滤光片截止激发杂散光。
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