具体测试对象：
光催化半导体薄膜电极（TiO₂、ZnO、Fe₂O₃等）
光催化剂粉末涂覆电极、金属/半导体肖特基结光电极
掺杂及固溶体光电极、异质结光电极、量子点敏化光电极等。
1 项目介绍
原理：在工作电极上施加线性三角波电位扫描，记录电流随电位变化的响应曲线。正向扫描与反向扫描分别驱动氧化与还原反应，峰电位、峰电流及峰形反映电活性物种的氧化还原热力学与电极过程动力学。暗态与光照条件下交替扫描可分离光生载流子贡献。
作用：测定光催化材料的氧化还原电位与能带边位置，判断特定氧化还原反应的热力学可行性；评估光生电子-空穴对的电荷转移速率与可逆性；测定电化学活性面积；鉴别暗态催化与光催化反应的电位窗口，为光催化剂能级匹配与反应机理分析提供实验依据。
2 样品要求
光催化剂须固定于导电衬底制成工作电极，常用FTO、ITO导电玻璃或玻碳电极作为基底。膜层须连续、结合牢固，在电解液中不脱落。粉末样品须添加少量惰性粘结剂制成均匀浆料涂覆，粘结剂对电化学响应干扰须已知。电极面积须准确界定。电解液须经惰性气体预先除氧，参比电极与对电极须与电解液体系兼容且电位稳定。
3 常见问题
3.1双电层充电电流干扰。
高扫描速率下双电层充电电流与法拉第电流可比较，氧化还原峰被掩盖，须选用适中扫描速率或进行背景扣除。
3.2光腐蚀与表面变化。
光照下部分半导体材料发生光腐蚀或表面产物累积，改变电极活性，连续扫描中响应衰减，须采用短时光照或新鲜电极。
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