具体测试对象：
PIN光电二极管、雪崩光电二极管
光电导探测器、光电倍增管、硅光电倍增管
CCD/CMOS图像传感器、位置敏感探测器、光通信接收器前端模块等
1 项目介绍
原理：在固定偏压与波长条件下，以一系列已知辐射功率的连续光或调制光依次照射待测探测器，辐射功率从噪声极限逐步递增至器件输出饱和，记录每一功率台阶下探测器的输出信号，建立输出信号-输入光功率的双对数关系曲线，将信号偏离理想线性响应1dB时对应的上下限功率比值确定为线性动态范围。
作用：定量界定探测器输出信号与输入光功率之间保持线性关系的功率跨度，以分贝表示。可甄别低功率端噪声基底限制与高功率端饱和机制对线性区间的压缩效应；评估器件在精密辐射测量、光谱分析及光通信系统中无失真复现光信号动态变化的能力；为自动增益控制电路设计及多增益挡位切换阈值设定提供依据。
2 样品要求
探测器在测试波段内须具有稳定且可重复的光电转换特性，暗电流与噪声基底在测量前须经充分预热稳定。光敏面响应均匀性须满足测量要求，若存在局部饱和或低响应区域，功率扫描数据将反映非整体特性。器件偏置须选择在线性工作区，并在整个功率扫描范围内保持恒定，偏置电路须具有足够的电流输出能力以供应器件在最高光照功率下的光电流而不进入限流状态。
3 常见问题
3.1低功率端噪声混叠。
接近噪声基底时，信号与噪声幅度可比，直流测量模式下噪声起伏导致输出读数波动，若采用多次平均抑噪，须确认平均时长不改变器件工作状态。锁相放大模式下调制频率须远离1/f噪声转角频率。
3.2高功率端器件自热效应。
在接近饱和区的高注入条件下，器件结区功耗显著增大，结温上升导致响应度漂移或热击穿，输出信号偏离线性区而非本征饱和，所测LDR上限低于实际值。须采用窄脉宽脉冲测量替代连续光照以降低平均功耗。
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