原理：在固定波长与光功率的连续光照射下，对待测探测器施加恒定偏压或保持零偏，待其输出电流达到时间稳态后，通过精密源表记录稳态光电流幅值。该电流包含光生载流子产生、传输、收集及复合各环节达到动态平衡后的净输出，反映了器件在恒定光辐射下的直流光电转换效率。

原理：在暗场条件下向待测薄膜的单载流子注入型器件结构施加正向偏压，使注入载流子浓度逐渐超过本征热平衡载流子浓度，此时注入电荷在薄膜内形成空间电荷区，其对电流的限域效应取代欧姆传导成为主导传输机制，电流-电压曲线由低偏压欧姆区过渡至高偏压空间电荷限制区。

原理：在垂直样品表面方向施加已知磁场，样品平面内通以恒定电流，运动载流子受洛伦兹力偏转，在垂直于电流与磁场方向两侧积累电荷，形成霍尔电压。通过范德堡法或霍尔桥结构测量霍尔电压符号与幅值，结合电阻率获得载流子类型、浓度与迁移率。

原理：在绝对暗场条件下对探测器每一像元或选定空间区域逐一施加恒定偏压，通过精密电流测量通道采集各点的稳态暗电流值，将暗电流幅值映射为空间分布图，计算阵列的暗电流均值、标准差及非均匀性系数。

原理：将待测探测器置于可控周期性光暗交替环境中，光照期与暗期时长及光功率按预设时序执行，连续监测器件关键光电参数在数百至数万次循环中的演变轨迹。光照期记录光电流或响应度，暗期记录暗电流恢复行为，以循环次数为横轴绘制参数衰减或漂移曲线。

原理：以波长可调的单色光照射半导体样品表面，光子吸收产生电子-空穴对，在内建电场或表面势作用下发生空间分离，改变表面电势。采用非接触式Kelvin探针或电容耦合电极检测表面电势变化量随激发波长的函数关系，获得表面光电压谱。

原理：将聚焦至微米或亚微米尺度的激光光斑在样品表面进行二维栅格扫描，同步采集每一扫描位置的光生短路电流或偏置光电流，将电流幅值映射为空间灰度或伪彩色图像，形成光电流分布图。该技术以扫描探针形式实现光电器件局域响应特性的空间分辨表征。

原理：在固定偏压与波长条件下，以一系列已知辐射功率的连续光或调制光依次照射待测探测器，辐射功率从噪声极限逐步递增至器件输出饱和，记录每一功率台阶下探测器的输出信号，建立输出信号-输入光功率的双对数关系曲线，将信号偏离理想线性响应1dB时对应的上下限功率比值确定为线性动态范围。

原理：以正弦调制或扫频调制的光信号激励待测探测器，调制频率从低频至高频连续扫描，同步记录探测器输出电信号的幅度，绘制频率响应曲线，确定输出信号幅度下降至低频参考值3dB处对应的上限截止频率，即器件的3dB光电响应带宽。

原理：以脉冲单色光或白光激励待测器件，器件在开路或高阻负载条件下产生光电压响应，通过高输入阻抗高速数据采集系统记录光电压从建立到衰减的完整时域波形。光脉冲脉宽远短于器件载流子复合寿命，以保证衰减过程完全由器件内部载流子动力学支配。

原理：以快速上升沿的方波调制光脉冲激励待测探测器，光脉冲宽度须远大于探测器预期响应时间，通过高速示波器或瞬态记录仪捕获探测器输出电信号的时域波形，从波形中提取探测器对光脉冲建立和消失的瞬态响应特征参数。

原理：转移特性测试在固定漏-源偏压下扫描栅-源电压，记录漏极电流随栅压的变化关系；输出特性测试在固定栅压下扫描漏-源电压，记录漏极电流随漏压的变化关系。两种测试构成器件完整的直流电学特性表征，在暗态与光照条件下分别执行以揭示光对沟道电导的调控行为。