原理：一种探究半导体禁带中深能级缺陷态分布的高灵敏度热释电学技术。在极低温度下，利用高于带隙的光照射样品，使光生载流子被缺陷陷阱捕获并“冻结”；随后在绝对暗场下以恒定速率对样品加热，记录被捕获电荷获取热能逃逸回导带/价带所产生的微弱释放电流波形。

原理：用强泵浦光激发材料产生非平衡载流子，同时利用弱连续（或脉冲）探测光穿透样品，精密测量透射率的微小相对变化（ΔT/T），以揭示激发态载流子向更高能级跃迁或被陷阱捕获的动力学演化过程。

原理：利用纳秒或皮秒级脉冲激光激发处于特定偏置状态（通常为短路或低反偏）的光电探测器，通过示波器记录光生载流子被内建或外加电场扫出器件外电路的瞬态电流波形。它直接反映了载流子在器件内部的传输渡越、界面势垒跨越及被深能级陷阱捕获/释放的动态物理过程。

原理：一种基于非平衡少数载流子动力学的高灵敏度深能级缺陷表征技术。在特定反向偏压下，利用单色光照射器件的耗尽区，使被深能级陷阱捕获的固态电荷发生光致电离跃迁，通过精密阻抗分析仪实时监测空间电荷区密度改变所引发的宏观结电容瞬态或稳态偏移量。

原理：在精密变温环境中，对光电探测器施加特定偏压与调制光，连续测定其光谱响应度（R）与暗电流随晶格温度演化规律。核心在于解析声子散射、带隙热位移及热激发载流子对器件宏观光电转换极限的微观扰动。

原理：基于空间电荷限制电流（SCLC）理论，通过在极低至室温（如77K至300K）的宽温区内采集器件暗态下的电流-电压（I-V）特性。利用曲线从欧姆导电区向陷阱填充极限区（TFL）突变的临界电压（VTFL），直接提取材料禁带内的深浅陷阱态密度（Nt）及热激活能。

原理：手性晶格或手性分子具备独特的三维螺旋不对称性，导致其对不同自旋角动量光子的电偶极矩和磁偶极矩跃迁概率不同。宏观上表现为对LCP和RCP的吸收率差异（CD谱），并在光电探测器中转化为稳态光生电流的绝对差值。

原理：通过在光路中引入偏振片与半波片，精确控制入射光线偏振方向，记录光电流随偏振角变化的周期性响应。基于低维各向异性材料晶格结构的非对称性，导致其对不同偏振方向光子的吸收截面与载流子跃迁概率产生显著差异，宏观表现为光电流强度的二向色性

原理：利用高精度二维压电位移台结合共聚焦光路，将激光聚焦至亚微米级光斑，在器件表面进行二维逐点扫描。系统同步记录每个空间坐标下产生的光生电流信号，从而构建出器件内部微观光电响应强度与物理形貌的高精度空间对应映射图谱。

原理：通过动态信号分析仪在频域内采集器件暗态下的微弱电流波动，精确分离出闪烁噪声（1/f噪声）、散粒噪声与热噪声。结合光谱响应度数据，计算出等效噪声功率（NEP）与比探测率，真实量化器件的本底信噪比极限。

主要应用： 电子器件与芯片热管理 材料热物性与相变研究 光电器件与系统热诊断 化工与催化过程监测 生物与医疗热成像

主要应用： 1.用于光化学、光物理、光催化等过程中的激发态寿命、能量转移、电子传递的表征； 2.主要应用于探究发光材料、光伏材料、光催化材料以及能量上转换材料等的光物理、光化学过程。 测试周期：12个工作日