原理：在屏蔽暗场条件下，测量探测器在特定偏压和调制频率下的噪声电压或电流功率谱密度，同时测量其在已知辐射功率下的响应度，将噪声谱密度除以响应度，计算出噪声等效功率，即信噪比为1时所需的最小入射辐射功率。

原理：以已知光谱辐射功率的单色光照射待测器件，测量器件在短路或特定偏压下输出的短路电流或光电流，计算收集到的电子数与入射光子数之比，获得外量子效率随波长变化的光谱曲线。入射光子通量须由标准探测器预先标定，以建立各波长下光功率-光子数的准确对应关系。

原理：采用经精确衰减至纳瓦（nW）或皮瓦（pW）量级的标定弱光照射待测探测器，通过锁相放大器、光子计数或门控积分等微弱信号提取技术，测量器件在极低入射光功率下的输出信号，计算探测器的弱光响应度。测试须在严格电磁屏蔽和暗场条件下进行，以将背景噪声抑制至热噪声极限以下。

原理：以已知辐射功率的稳态连续光照射待测探测器光敏面，在固定偏压或零偏条件下，通过精密源表直接测量探测器输出端产生的直流光电流或光电压，计算输出电信号与入射光功率之比，获得探测器的直流响应度。

原理：以标准黑体辐射源作为已知光谱辐出度的宽带参考光源，将其辐射经调制后准直投射于待测探测器光敏面。探测器输出信号经锁相放大器或前置放大器提取，与黑体在探测器有效接收面积和视场角内所发射的积分辐射功率进行比对，从而获得探测器的电压或电流响应度对入射辐射功率的比值。

原理：在单色仪扫描光谱响应测试基础上，将施加于待测探测器两端的直流偏置电压作为第二维度变量，在不同偏压条件下逐一执行完整波段的光谱响应扫描，记录器件光电流或响应度随波长与偏压变化的二维矩阵数据，以表征器件光电转换特性对电场强度的依赖关系。

原理：以宽谱光源经单色仪分光产生波长可调的单色窄带辐射，按预设步长依次投射于待测探测器光敏面，同步记录各波长下器件的输出光电流或电压，与已标定的标准探测器响应值逐点比对，经归一化处理后获得待测器件的相对或绝对光谱响应度曲线。

原理：一种探究半导体禁带中深能级缺陷态分布的高灵敏度热释电学技术。在极低温度下，利用高于带隙的光照射样品，使光生载流子被缺陷陷阱捕获并“冻结”；随后在绝对暗场下以恒定速率对样品加热，记录被捕获电荷获取热能逃逸回导带/价带所产生的微弱释放电流波形。

原理：用强泵浦光激发材料产生非平衡载流子，同时利用弱连续（或脉冲）探测光穿透样品，精密测量透射率的微小相对变化（ΔT/T），以揭示激发态载流子向更高能级跃迁或被陷阱捕获的动力学演化过程。

原理：利用纳秒或皮秒级脉冲激光激发处于特定偏置状态（通常为短路或低反偏）的光电探测器，通过示波器记录光生载流子被内建或外加电场扫出器件外电路的瞬态电流波形。它直接反映了载流子在器件内部的传输渡越、界面势垒跨越及被深能级陷阱捕获/释放的动态物理过程。

原理：一种基于非平衡少数载流子动力学的高灵敏度深能级缺陷表征技术。在特定反向偏压下，利用单色光照射器件的耗尽区，使被深能级陷阱捕获的固态电荷发生光致电离跃迁，通过精密阻抗分析仪实时监测空间电荷区密度改变所引发的宏观结电容瞬态或稳态偏移量。

原理：在精密变温环境中，对光电探测器施加特定偏压与调制光，连续测定其光谱响应度（R）与暗电流随晶格温度演化规律。核心在于解析声子散射、带隙热位移及热激发载流子对器件宏观光电转换极限的微观扰动。