具体测试对象：
半导体体单晶及外延片（Si、GaAs、InP等）
半导体异质结及量子阱结构、半导体纳米线及量子点
掺杂或补偿型半导体薄膜、非晶硅及多晶硅薄膜、宽禁带半导体等
1 项目介绍
原理：以波长可调的单色光照射半导体样品，光子激发载流子从价带或缺陷能级跃迁至导带，在外加偏压或内建电场驱动下形成光电流。记录光电流随激发波长的变化，获得光电流谱。谱峰对应带间跃迁或缺陷能级至能带的跃迁阈值，信号强度反映光吸收系数与载流子收集效率的乘积。
作用：表征半导体能带结构及缺陷能级位置，可由谱峰阈值确定带隙宽度及杂质电离能。区别于光致发光，光电流谱对非辐射复合中心同样敏感，可检测发光淬灭体系中的光生载流子产生效率。用于评价光电探测器的光谱响应、太阳电池的载流子收集效率及材料的亚带隙缺陷态分布。
2 样品要求
样品须制备电极形成肖特基结、PN结、异质结或欧姆接触平面结构，以提供载流子收集电场和电信号引出路径。电极接触须为欧姆接触，接触电阻远小于样品体电阻，且不产生显著光伏效应干扰。样品表面须清洁，光斑须完全覆盖有效收集区域。透明或半透明电极适用于顶照射构型，平面叉指电极适用于高阻薄膜。测试须在屏蔽暗箱中进行，排除环境杂散光。
3 常见问题
3.1光热电流与热电效应干扰。
调制光照射样品时引起的周期性局部升温，可经由热电效应或热释电效应产生与调制同频的电流信号。该热致电流与光电流在频域不可区分，在亚带隙区常构成虚假的“光电流”响应，误导缺陷态指认。须采用连续光照叠加微弱调制以降低温度调制幅度，或通过变调制频率测量区分热响应慢分量与光响应快分量。
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