具体测试对象：
有机发光二极管（OLED）
量子点发光二极管（QLED）
钙钛矿发光器件（PeLED）以及微型显示晶圆（microLED）阵列结构等
1 项目介绍
原理：是一种时域电光响应动力学表征技术。向发光器件两端施加极陡峭的方波电压脉冲，利用高带宽光电探测器同步记录电致发光强度的瞬态建立与衰减演变过程，进而揭示电荷在真实器件电场下的输运、累积与复合动力学规律。
作用：测试电致发光延迟时间（td）、发光上升/衰减特征寿命、以及载流子迁移率（μ）。能够评估器件多层结构中载流子注入势垒与界面传输瓶颈；甄别发光层内的朗之万复合与陷阱辅助复合机制；量化脉冲驱动下因电荷非平衡积累导致的激子猝灭行为。
2 样品要求
样品需承受上升沿极快（纳秒量级）的方波电压持续冲击。器件须具备良好的层间欧姆接触与机械附着力，并置于惰性腔体或经过严密封装。若电极接触不良或材料易发生电化学降解，瞬态方波的高频谐波成分极易引发局部电场热击穿或致使活性层快速失效。
3 常见问题
3.1脉冲占空比过高导致的残余电荷累积。
若施加的方波脉冲间隔（关闭态时间）设定过短，器件内部的深能级陷阱未能将上一周期的俘获电荷充分释放。这些残余电荷会在异质结界面建立反向内建电场，导致下一周期的瞬态发光延迟时间被非本征地缩短，使得计算得出的表观迁移率被虚假高估。
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