具体测试对象：
有机发光二极管（OLED）
量子点发光二极管（QLED）
微型发光二极管（microLED）等
1 项目介绍
原理：是一种频域电学表征技术。通过对发光器件施加特定偏压与微小交流电压扰动，在宽频范围内测量系统的复阻抗响应。结合等效电路模型，可分离并量化器件内部具有不同时间常数的载流子动力学过程。
作用：测试串联电阻、电荷传输电阻、复合阻抗、界面几何电容与化学电容，能够甄别发光器件内部的载流子注入势垒与传输损耗；量化不同功能层界面的电荷积聚情况；分析 QLED 内部的离子迁移延滞效应，为降低器件的工作电压和提升电光转换效率提供电学指引。
2 样品要求
测试探针与器件电极（如 ITO 或金属层）必须形成极低接触电阻的连接。若接触不良，会引入难以预估的接触阻抗；且过长的测试导线会带来寄生电容与电感。这些外部回路杂散参量会严重扭曲高频段的真实响应，掩盖器件内部快速的电荷注入特征。
3 常见问题
3.1高频寄生感抗引发实轴交叉畸变。
在数百千赫兹至兆赫兹的高频区，测试线缆、探针夹具甚至器件自身的极细金属走线，都会表现出显著的感抗特性。这会导致奈奎斯特图在高频端穿过实轴进入第四象限。若不执行严密的开路/短路夹具补偿校准，将导致器件本征串联电阻的提取出现系统性偏差。
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