具体测试对象：
热激活延迟荧光（TADF）材料
量子点发光二极管（QLED）活性薄膜
微型发光二极管（microLED）的氮化镓外延片等
1 项目介绍
原理：利用脉冲激光或电脉冲瞬态激发样品，使其载流子跃迁至激发态，在激发源关闭后，通过高时间分辨探测系统记录发光强度随时间的指数衰减曲线，依据衰减速率提取激子寿命或余晖时间。
作用：测试瞬态发光寿命、长余晖衰减时间、辐射跃迁速率与非辐射跃迁速率。能够量化发光体系中单重态与三重态激子的能量转换机制（如逆系间窜跃 RISC）；评估 microLED 侧壁缺陷引发的非辐射复合严重程度；标定长余晖材料的陷阱能级深度与储能释放动力学特征。
2 样品要求
固态薄膜或晶圆样品的表层粗糙度需保持在较低水准。在进行微区寿命制图时，微观形貌的起伏会改变局域的激发光吸收深度与反射路径，进而引发激子密度的非均匀分布。这会在衰减曲线上引入因空间异质性导致的复合速率非线性畸变。
3 常见问题
3.1 陷阱饱和导致动力学偏离。
对于毫秒或秒级的长余晖材料，其发光依赖于晶格缺陷对载流子的捕获与热释放。若激发脉冲的时间过短或功率不足，内部的深浅陷阱能级未能达到物理饱和布居，测得的余晖衰减曲线将无法客观反映材料在饱和储能状态下的真实延时发光特征。
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