具体测试对象：
单层石墨烯、过渡金属硫族化合物（TMDCs）
二维范德华人工异质结
六方氮化硼（h-BN）、MXenes 薄膜等
1 项目介绍
原理：高能入射电子束穿透极薄二维样品时，与样品内部晶格电子发生非弹性碰撞而损失特定能量。通过磁场（能量过滤器）按能量损失值对出射电子进行空间色散与探测，即可在原子尺度上精确解析材料的电子能带结构与元素组成。
作用：测量低能损谱（价电子等离激元共振、光学带隙）与芯能损谱（内壳层激发吸收边）。能够实现二维晶格中超轻元素（如 C、B、N、Li）的原子分辨率定量映射；探明局域原子的配位环境与化学价态；直接测定单层材料在不同应力或电场分布下的局域介电函数与带隙演化。
2 样品要求
EELS 信号的有效提取极度依赖样品的物理极限厚度（通常要求厚度远小于电子非弹性平均自由程，即小于 20 纳米）。二维材料在制样时，必须转移至具有微米级孔洞的微栅碳膜或极薄的氮化硅（SiNx）窗口上，实现测量区域的绝对物理悬空，不得使用厚实基底，以避免产生强烈的非弹性背底散射干扰。
3 常见问题
3.1 多重散射非线性畸变。
尽管二维单层极薄，但在褶皱、多层堆叠区或表面吸附杂质的位点，透射电子发生两次或多次非弹性散射的概率大大增加。这种多重散射会在芯能损区产生与真实吸收边形态相似的虚假伴峰，严重扭曲跃迁轨道密度的解析，必须在光谱后处理中进行严密的傅里叶对数解卷积以扣除厚度效应。
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