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开路电压衰减法(OCVD)
原理:通过对光伏器件或半导体二极管施加稳态光照(或正向偏置电流),使其载流子分布达到稳态后,突然切断激发源,利用示波器记录器件开路电压(Voc)随时间的衰减过程,进而反推载流子复合动力学的一种瞬态电学测试技术。
最大功率点跟踪稳定性(MPPT)
原理:在连续光照下,利用源表配合主动寻优算法,动态调整施加在光伏器件两端的偏置电压,使其始终锁定在电流-电压曲线的极值点,从而输出并记录真实稳态最大功率的连续追踪技术。
光诱导衰减测试(LID)
原理:当光伏器件长时间暴露于光照时,光生载流子可能与材料内部的特定杂质(如硅中的硼-氧络合物)发生反应,或诱导离子迁移与相变,从而在材料体内或界面产生新的非辐射复合中心,导致少子寿命和电池效率出现不可逆或半可逆的下降。
瞬态吸收光谱(TAS)
原理:利用飞秒/皮秒“泵浦-探测”技术的超快时间分辨光谱。首先用高能量的“泵浦光”激发材料产生非平衡载流子,随后利用另一束宽谱“探测光”在不同延迟时间下测量材料吸光度(ΔA)或透射率(ΔT/T)的极微小变化,从而在时域与频域上描绘激发态的演化轨迹。
TPV瞬态光电压
原理:是一种在开路条件下进行的泵浦-探测技术。利用稳态偏置光在器件内建立稳态背景载流子,随后施加超短脉冲激光产生微小的额外载流子扰动。通过记录光电压增量随时间的指数衰减过程,直接表征器件内的载流子复合动力学。
TRPL(时间分辨荧光光谱)
原理:采用超短脉冲激光激发样品产生非平衡载流子,随后利用时间相关单光子计数(TCSPC)或条纹相机技术,高频、精确地记录样品发出的荧光光子数量随时间衰减的动态曲线,以揭示材料内部瞬态光物理复合过程。
C-V(电容电压)与DLTS(深层能级瞬态谱)
原理:C-V通过在直流偏压上叠加高频小信号,测量空间电荷区电容随偏压的变化。DLTS在此基础上,施加脉冲偏压改变耗尽区宽度,在变温环境下监测深能级缺陷捕获与发射载流子引发的瞬态电容弛豫过程,实现缺陷热动力学表征。
空间电荷限域电流法(SCLC)
原理:构建单极性(纯电子 / 纯空穴)器件,在暗态下施加偏压。当外加电场驱动的注入载流子浓度超过材料热平衡载流子浓度时,电流输运转变为受空间电荷限制状态。在无陷阱的理想限域区,电流密度与电压的平方成正比,遵循 Mott-Gurney 定律
外量子效率测试(EQE)
原理:利用单色仪输出连续波长的单色光照射器件,并同步测量器件输出的短路电流,计算器件收集到的光生电子数与照射在器件表面的入射单色光子数之比,进而绘制出 EQE 随波长变化的响应光谱。
光照与暗态J-V测试
原理:标准太阳光照下(AM1.5G标准太阳光谱,100mW/cm2辐照度,常温)或者暗态(无光照环境)下,通过高精度源测量单元对器件两端施加连续变化的偏置电压,并同步采集对应的输出电流密度J,绘制出 J-V曲线。
稳态表面光电流/光电压测量仪 SteaPVC
主要应用: 1.探测光照下材料表面电势变化来研究半导体/绝缘体表面能带结构、界面电荷转移及缺陷态的非接触式表征设备; 2.其核心在于分析光生载流子在空间电荷区的分离行为; 3.适用太阳能电池、光电探测器、催化材料、半导体等研究领域。 测试周期:12个工作日
太阳能电池组件失效综合分析仪 Microsurfer
Microsurfer太阳能电池组件失效综合分析仪是一款专为太阳能电池组件失效分析而设计的高精度仪器。它能够对太阳能电池组件进行全面的电学及光电特性测试,包括但不限于电流-电压(I-V)特性、光致荧光强度失效分析、光致荧光发射光谱失效分析、光致荧光寿命失效分析、电致发光强度失效分析、电致发光光谱失效分析、瞬态电致发光失效分析等16种功能,且支持客户定制化开发,兼容更多失效分析手段。
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