原理：采用超短脉冲激光激发样品产生非平衡载流子，随后利用时间相关单光子计数（TCSPC）或条纹相机技术，高频、精确地记录样品发出的荧光光子数量随时间衰减的动态曲线，以揭示材料内部瞬态光物理复合过程。

原理：C-V通过在直流偏压上叠加高频小信号，测量空间电荷区电容随偏压的变化。DLTS在此基础上，施加脉冲偏压改变耗尽区宽度，在变温环境下监测深能级缺陷捕获与发射载流子引发的瞬态电容弛豫过程，实现缺陷热动力学表征。

原理：构建单极性（纯电子 / 纯空穴）器件，在暗态下施加偏压。当外加电场驱动的注入载流子浓度超过材料热平衡载流子浓度时，电流输运转变为受空间电荷限制状态。在无陷阱的理想限域区，电流密度与电压的平方成正比，遵循 Mott-Gurney 定律

原理：利用单色仪输出连续波长的单色光照射器件，并同步测量器件输出的短路电流，计算器件收集到的光生电子数与照射在器件表面的入射单色光子数之比，进而绘制出 EQE 随波长变化的响应光谱。

原理：标准太阳光照下（AM1.5G标准太阳光谱，100mW/cm2辐照度，常温）或者暗态（无光照环境）下，通过高精度源测量单元对器件两端施加连续变化的偏置电压，并同步采集对应的输出电流密度J，绘制出 J-V曲线。

主要应用： 发光材料性能评 激发态动力学研究 多组分复杂体系分析 材料缺陷与局域环境探测

主要应用： 针对固体发光材料三维光谱特性开展检测的专用分析装置。

主要应用： 1.高纯金属与合金（如6N以上纯度铜、镍）的杂质表征 2.半导体材料（单晶硅、化合物半导体）的痕量污染检测 3.涂层与薄膜材料的成分及厚度分析

主要应用： 化合物定性与结构解析 组分定量分析 材料光学性能表征 纯度与杂质筛查

主要应用： 手性发光材料、生物大分子构象及手性传感等。

主要应用： 蛋白质二级与三级结构解析 核酸结构表征 手性药物与天然产物分析 超分子与材料手性 溶剂效应与分子间相互作用

主要应用： 细胞内物质动态研究，包括分子吸收路径、转运机制及化学成分的定位分析。