原理：利用高度准直的微束辐射源（如微束X射线、质子束或飞秒激光）逐点扫描探测器表面，同步记录每个空间坐标下的电信号。通过二维物理坐标与信号特征（如脉冲幅度）的数学关联，实现探测器内部微观响应的超高分辨空间可视化。

原理：通过施加高频方波脉冲辐射，记录探测器输出信号的上升沿/下降沿时间及辐射停止后的残留信号比例。可推算出半导体内载流子的运输速度以及深能级陷阱对电荷的捕获与迟滞释放动力学规律。

原理：探测器输出的电脉冲幅度与入射粒子的沉积能量成正比。通过多道分析器对大量脉冲按幅度大小进行分类记录，形成脉冲计数随幅度分布的直方图，从而实现对辐射能谱的重建。

原理：通过精确测量辐射粒子或光子飞越已知固定距离所需的时间，来计算其飞行速度。结合粒子的动量或动能信息，可直接反演出粒子的质量而进行粒子鉴别（基于 E=(1/2)mv2 、相对论动能公式等），是高能物理与核辐射探测中最核心的粒子物理参数表征技术。

原理：在低于材料本征击穿强度的恒定电压CVS或恒定电流CCS应力下，长时间持续施加电荷注入。随着绝缘薄膜内部缺陷不断产生与积累，当缺陷密度达到临界阈值时，最终形成贯穿的导电通路，导致介质发生突发性物理击穿。

原理：利用高能深紫外激光（如193nm或213nm）激发半导体，记录电子跃迁复合后释放的光谱。直接反映超宽带隙材料的能带结构与辐射复合动力学。

原理：其基于晶格声子频率对温度的高度敏感性。随着温度升高，半导体晶格热膨胀与声子-声子散射加剧，导致特定拉曼特征峰发生规律性的红移并展宽。通过共聚焦显微光路在器件表面进行高精度扫描，利用峰位偏移量可反演构建出亚微米级空间分辨率的二维温度场分布图。

原理：在宽温区（如10K至800K）内，通过在半导体样品上施加恒定磁场与电流，测量横向霍尔电压随温度变化的规律。基于洛伦兹力偏转运动电荷。通过解析不同温度下的霍尔系数与电导率，揭示宽禁带半导体内杂质电离过程、载流子输运机制与散射物理规律。

原理：通过特定波长的短光脉冲照射宽禁带半导体，利用光子能量直接改变深能级缺陷的电荷占据态。在光照停止后，通过高频监测其电容或电流随时间的瞬态弛豫恢复过程，从而实现对缺陷能级的精确解析。

原理：是一种基于光子与物质分子发生非弹性散射（即拉曼散射）的振动光谱技术。激光照射催化剂时，光子与晶格声子或分子内部振动模式发生能量交换产生频移。拉曼位移直接反映材料的化学键类型、晶格对称性及分子微观结构。

原理：通过向电化学系统施加一系列不同频率的小振幅正弦交流电压，测量系统产生的交流电流响应以计算阻抗。在光催化中，它将复杂的固液界面电荷转移与物质扩散过程等效为电阻、电容等物理元件，从而解析光生载流子的动力学行为。

原理：过单色仪分光，精确测量不同波长下催化剂电极产生的光电流与入射光功率，计算出光电转换量子效率，评估材料在整个光谱范围内的光电响应能力。