原理：以重复脉冲辐射源或单光子源入射待测探测器，精确记录每次事件输出脉冲的到达时间，统计大量事件到达时间相对于参考信号的时间差分布，计算该分布的均方根偏差或半高全宽，即为时间抖动。时间抖动反映探测器及读出电子学系统的时间响应不确定性。

原理：以已知能量的单能辐射粒子或光子入射探测器，测量输出脉冲幅度，与探测器灵敏体积内完全电荷收集时的理论脉冲幅度比较，二者比值即为电荷收集率。常用方法包括波形积分法，即直接采集前置放大器输出脉冲波形并积分获取收集电荷量；或能谱法，由全能峰位与理论能量的偏离推算电荷收集亏损。

原理：以单能或多能标准放射源辐照探测器，采集输出脉冲幅度谱，获得全能峰。测量全能峰半高宽，将其除以峰位能量（常用百分比表示），即为能量分辨率。该参数反映探测器区分能量相近的辐射粒子或光子的能力，与电荷产生统计涨落、电荷收集效率及电子学噪声直接相关。

原理：以正弦调制或扫频调制的辐射束激励待测探测器，调制频率从低频至高频连续扫描，同步记录探测器输出信号的幅度，绘制频率响应曲线，确定输出信号幅度下降至低频参考值3dB处对应的上限截止频率，即探测器的3dB调制带宽。

原理：在噪声等效功率测量基础上，将探测器光敏面积与测量带宽的平方根乘积除以噪声等效功率，获得比探测率。该参数将探测器的探测灵敏度归一化至单位面积和单位带宽，消除了探测器尺寸与测量带宽差异对灵敏度比较的干扰。D值越大表示探测器对微弱辐射信号的探测能力越强。

原理：在屏蔽暗场条件下，测量探测器在特定偏压下的噪声电压或电流功率谱密度，同时测定其对已知辐射通量的响应度，将噪声谱密度除以响应度，计算出噪声等效功率，即探测器输出信噪比为1时所需的最小入射辐射功率。

原理：以标准辐射品质的均匀X射线束照射探测器，采集二维图像，分析调制传递函数及噪声功率谱，计算输出信噪比平方与入射光子信噪比平方之比，获得探测量子效率随空间频率的变化曲线，反映探测器对入射辐射信息传递效率。

原理：以已知注量率的X射线或γ射线照射探测器，测量其输出脉冲计数率或感应电荷量，计算探测器收集到的电荷载流子对数与入射光子数之比，获得外量子效率。该参数反映探测器将入射辐射光子转换为可测电信号的综合效率。

原理：以一系列已知能量和注量率的单能光子或粒子束流辐照待测探测器，同步记录探测器输出信号（计数率、电流或电荷量），逐能量点计算响应度，即单位入射辐射通量或注量下探测器的输出幅度。由此建立响应度随辐射能量变化的函数关系曲线。

原理：在暗场条件下，对夹于两个电极之间的半导体薄膜施加正向偏压，注入载流子浓度随偏压升高逐渐超过热平衡载流子浓度，注入电荷在薄膜内形成空间电荷区，其对电流的限域效应取代欧姆传导成为主导传输机制。电流-电压曲线由低偏压欧姆区过渡至高偏压空间电荷限制电流区。

原理：以短脉冲光照射处于恒定偏压下的半导体器件，光生载流子在内建电场或外加电场驱动下漂移至电极形成瞬态光电流。光脉冲结束后，载流子通过复合、俘获及渡越过程逐渐衰减。采用高速电流放大器与示波器记录光电流随时间的变化，由衰减波形提取载流子输运动力学参数。

原理：以短脉冲光照射开路条件下的半导体器件，光生载流子在内建电场下分离并积累于结区两侧，产生开路电压。光脉冲结束后，积累电荷通过复合过程衰减，电压随之下降。采用高输入阻抗采集系统记录电压衰减曲线，由衰减时间常数提取载流子复合寿命。