原理：利用高能短波长（通常为蓝光或紫外光）激发色转换材料，材料内部电子吸收光子跃迁至激发态，经非辐射弛豫后，再通过辐射复合发射出低能长波长（红光或绿光）光子。系统通过收集并量化分析透射的激发光与发射的转换光光谱能量分布，计算材料的绝对吸收率与光转换效率。

原理：利用高分辨机器视觉结合光致发光（PL）或电致发光（EL）激发源，对巨量转移后的微缩芯片阵列进行高速显微扫描。通过捕捉阵列表面的反射光、荧光或电驱动光信号并执行图像比对与特征识别算法，精准定位并提取发光异常或存在物理偏移的微像素坐标。

原理：通过显微探针向微米级（通常<100μm）发光像素注入电流，使电子与空穴在有源层辐射复合产生光子。结合高倍显微光学系统与光谱仪收集微区光信号，实现单像素电学与光学特性的高分辨精准表征。

原理：采用超短脉冲激光激发样品产生非平衡载流子，随后利用时间相关单光子计数（TCSPC）或条纹相机技术，高频、精确地记录样品发出的荧光光子数量随时间衰减的动态曲线，以揭示材料内部瞬态光物理复合过程。

原理：C-V通过在直流偏压上叠加高频小信号，测量空间电荷区电容随偏压的变化。DLTS在此基础上，施加脉冲偏压改变耗尽区宽度，在变温环境下监测深能级缺陷捕获与发射载流子引发的瞬态电容弛豫过程，实现缺陷热动力学表征。

原理：构建单极性（纯电子 / 纯空穴）器件，在暗态下施加偏压。当外加电场驱动的注入载流子浓度超过材料热平衡载流子浓度时，电流输运转变为受空间电荷限制状态。在无陷阱的理想限域区，电流密度与电压的平方成正比，遵循 Mott-Gurney 定律

原理：利用单色仪输出连续波长的单色光照射器件，并同步测量器件输出的短路电流，计算器件收集到的光生电子数与照射在器件表面的入射单色光子数之比，进而绘制出 EQE 随波长变化的响应光谱。

原理：标准太阳光照下（AM1.5G标准太阳光谱，100mW/cm2辐照度，常温）或者暗态（无光照环境）下，通过高精度源测量单元对器件两端施加连续变化的偏置电压，并同步采集对应的输出电流密度J，绘制出 J-V曲线。

主要应用： 发光材料性能评 激发态动力学研究 多组分复杂体系分析 材料缺陷与局域环境探测

主要应用： 针对固体发光材料三维光谱特性开展检测的专用分析装置。

主要应用： 1.高纯金属与合金（如6N以上纯度铜、镍）的杂质表征 2.半导体材料（单晶硅、化合物半导体）的痕量污染检测 3.涂层与薄膜材料的成分及厚度分析

主要应用： 化合物定性与结构解析 组分定量分析 材料光学性能表征 纯度与杂质筛查