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拉曼光谱
原理:是一种基于光子与物质分子发生非弹性散射(即拉曼散射)的振动光谱技术。激光照射催化剂时,光子与晶格声子或分子内部振动模式发生能量交换产生频移。拉曼位移直接反映材料的化学键类型、晶格对称性及分子微观结构。
电化学阻抗谱(EIS)
原理:通过向电化学系统施加一系列不同频率的小振幅正弦交流电压,测量系统产生的交流电流响应以计算阻抗。在光催化中,它将复杂的固液界面电荷转移与物质扩散过程等效为电阻、电容等物理元件,从而解析光生载流子的动力学行为。
入射光子-电流转换效率(IPCE)
原理:过单色仪分光,精确测量不同波长下催化剂电极产生的光电流与入射光功率,计算出光电转换量子效率,评估材料在整个光谱范围内的光电响应能力。
准原位X射线光电子能谱
原理:用X射线轰击样品表面激发出内层电子,通过测定光电子动能获取表面元素组成及化学价态。准原位通过高真空转移舱连接反应池与测试腔,避免真实测试体系对超高真空环境的破坏。
原位漫反射红外傅里叶变换光谱
原理:利用漫反射附件收集催化剂表面散射的红外光,结合反应池系统模拟真实反应条件。通过连续记录反应过程中表面物种的红外吸收光谱变化,实时捕捉反应物吸附态、中间体及产物的演变规律。
变温暗电流与陷阱态密度(tDOS)分析
原理:基于空间电荷限制电流(SCLC)理论,通过在极低至室温(如77K至300K)的宽温区内采集器件暗态下的电流-电压(I-V)特性。利用曲线从欧姆导电区向陷阱填充极限区(TFL)突变的临界电压(VTFL),直接提取材料禁带内的深浅陷阱态密度(Nt)及热激活能。
圆二色性(CD)与手性光电流表征
原理:手性晶格或手性分子具备独特的三维螺旋不对称性,导致其对不同自旋角动量光子的电偶极矩和磁偶极矩跃迁概率不同。宏观上表现为对LCP和RCP的吸收率差异(CD谱),并在光电探测器中转化为稳态光生电流的绝对差值。
偏振分辨光电流各向异性测试
原理:通过在光路中引入偏振片与半波片,精确控制入射光线偏振方向,记录光电流随偏振角变化的周期性响应。基于低维各向异性材料晶格结构的非对称性,导致其对不同偏振方向光子的吸收截面与载流子跃迁概率产生显著差异,宏观表现为光电流强度的二向色性
扫描光电流显微测试(SPCM)
原理:利用高精度二维压电位移台结合共聚焦光路,将激光聚焦至亚微米级光斑,在器件表面进行二维逐点扫描。系统同步记录每个空间坐标下产生的光生电流信号,从而构建出器件内部微观光电响应强度与物理形貌的高精度空间对应映射图谱。
比探测率(D*)测试
原理:通过动态信号分析仪在频域内采集器件暗态下的微弱电流波动,精确分离出闪烁噪声(1/f噪声)、散粒噪声与热噪声。结合光谱响应度数据,计算出等效噪声功率(NEP)与比探测率,真实量化器件的本底信噪比极限。
时间分辨光致发光光谱(TRPL)
原理:利用皮秒或飞秒级超短脉冲激光激发材料,使电子跃迁至激发态。随后利用时间相关单光子计数或条纹相机技术,高频追踪记录荧光光子随时间的微观衰减过程。通过拟合衰减曲线,直接提取载流子或激子的荧光寿命,揭示材料内部瞬态光物理动力学。
阴极荧光光谱测试(CL)
原理:利用高能电子束直接轰击半导体材料,激发出二次电子与大量的电子-空穴对,载流子发生辐射复合释放出特定波长的光子。通过收集并解析这些光子,可实现材料微区光学特性与物理形貌在纳米级空间尺度上的原位协同表征。
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